GaN-LED出射光束整形和出光效率提高
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 一、引言 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.2.1 LED光场分布的改变 | 第11-13页 |
| 1.2.2 LED出光效率的提高 | 第13-15页 |
| 1.2.3 目前存在的问题 | 第15页 |
| 1.3 论文的研究内容与结构 | 第15-17页 |
| 1.4 论文的创新点与特色 | 第17页 |
| 1.5 总结 | 第17-18页 |
| 二、基本原理 | 第18-26页 |
| 2.1 GaN-LED的基本结构 | 第18页 |
| 2.2 LED的发光原理 | 第18-19页 |
| 2.3 影响LED出光效率的因素 | 第19-22页 |
| 2.3.1 内量子效率及其影响因素 | 第20-21页 |
| 2.3.2 光提取效率及其影响因素 | 第21-22页 |
| 2.4 提高出光效率的初步分析 | 第22-24页 |
| 2.5 LED出射光束的发散角 | 第24页 |
| 2.6 总结 | 第24-26页 |
| 三、调整出射光束和提升出光效率的结构设计 | 第26-40页 |
| 3.1 时域有限差分法 | 第26-30页 |
| 3.1.1 Yee原胞分割 | 第26-29页 |
| 3.1.2 解的稳定性 | 第29-30页 |
| 3.1.3 边界吸收 | 第30页 |
| 3.2 LED均匀取光的实现 | 第30-35页 |
| 3.2.1 带有菲涅尔圆环的LED模型的构建 | 第30-31页 |
| 3.2.2 模拟光源的设置 | 第31-32页 |
| 3.2.3 监视器的设置 | 第32页 |
| 3.2.4 FDTD模拟区域的设置 | 第32-33页 |
| 3.2.5 菲涅尔圆环深度设计 | 第33-35页 |
| 3.3 LED准直取光的实现 | 第35-39页 |
| 3.3.1 带有光栅结构的LED模型的构建 | 第35-36页 |
| 3.3.2 光栅结构的深度设计 | 第36-39页 |
| 3.4 总结 | 第39-40页 |
| 四、菲涅尔圆环和光栅结构的制备 | 第40-48页 |
| 4.1 菲涅尔圆环结构位相元件的制备 | 第40-43页 |
| 4.1.1 高速图形化激光直写设备原理 | 第40-41页 |
| 4.1.2 菲涅尔圆环位相元件 | 第41-43页 |
| 4.2 亚微米级菲涅尔圆环的制备 | 第43-45页 |
| 4.2.1 DMD并行输入激光干涉方法 | 第43页 |
| 4.2.2 亚微米菲涅尔圆环 | 第43-45页 |
| 4.3 亚微米级光栅的制备 | 第45-46页 |
| 4.3.1 紫外干涉曝光系统 | 第45页 |
| 4.3.2 亚微米光栅 | 第45-46页 |
| 4.4 实验分析 | 第46-47页 |
| 4.5 总结 | 第47-48页 |
| 五、结论与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 论文总结 | 第48-49页 |
| 5.2 论文今后工作 | 第49-50页 |
| 六、参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
