| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 1 绪论 | 第14-25页 |
| 1.1 研究背景与研究意义 | 第14-16页 |
| 1.2 SiC MOSFET驱动设计考量 | 第16-21页 |
| 1.2.1 驱动电压 | 第16-17页 |
| 1.2.2 合适的门极电阻 | 第17-18页 |
| 1.2.3 寄生电感的影响 | 第18页 |
| 1.2.4 串扰抑制 | 第18-20页 |
| 1.2.5 di/dt控制和dv/dt控制 | 第20-21页 |
| 1.3 短路特性及保护方案 | 第21-24页 |
| 1.3.1 短路特性研究 | 第21-22页 |
| 1.3.2 短路保护 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文主要工作 | 第24-25页 |
| 2 驱动电路的设计及di/dt控制 | 第25-46页 |
| 2.1 驱动电路工作原理 | 第25-30页 |
| 2.2 驱动电路参数设计 | 第30-34页 |
| 2.3 测试电路参数设计 | 第34-36页 |
| 2.3.1 双脉冲电路工作原理 | 第34-35页 |
| 2.3.2 双脉冲电路参数设计 | 第35-36页 |
| 2.4 实验结果及分析 | 第36-45页 |
| 2.4.1 传统驱动方法 | 第37-38页 |
| 2.4.2 门极电流注入 | 第38-41页 |
| 2.4.3 传统驱动方法与门极电流注入的对比 | 第41-44页 |
| 2.4.4 电流注入方法的缺陷 | 第44-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 3 SiC MOSFET在不同门极电压下的短路承受能力 | 第46-60页 |
| 3.1 短路测试电路工作原理 | 第46-47页 |
| 3.2 短路测试电路参数设计 | 第47-55页 |
| 3.2.1 电容组 | 第47-48页 |
| 3.2.2 固态断路器 | 第48-53页 |
| 3.2.3 电流测量方法 | 第53-54页 |
| 3.2.4 SiC MOSFET驱动电路 | 第54-55页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第55-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 4 短路保护电路设计 | 第60-70页 |
| 4.1 短路保护电路工作原理 | 第60-61页 |
| 4.2 短路保护电路参数设计 | 第61-65页 |
| 4.2.1 电流检测与比较器设置 | 第61-62页 |
| 4.2.2 D触发器设置 | 第62-63页 |
| 4.2.3 保护动作设置 | 第63-65页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第65-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 5 总结与展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 作者简历及在学期间发表的论文 | 第75页 |