摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
符号说明 | 第15-16页 |
第一章 绪论 | 第16-30页 |
1.1 半导体光催化剂技术研究背景 | 第16-17页 |
1.2 光催化反应机理 | 第17-18页 |
1.3 半导体光催化技术的应用 | 第18-21页 |
1.3.1 光分解水制氢 | 第18-20页 |
1.3.2 光催化降解污染物 | 第20-21页 |
1.4 光催化剂催化性能的影响因素 | 第21-24页 |
1.4.1 催化剂的组成 | 第21-22页 |
1.4.2 晶型结构 | 第22-23页 |
1.4.3 颗粒大小 | 第23页 |
1.4.4 比表面积 | 第23-24页 |
1.4.5 助催化剂 | 第24页 |
1.5 硫化物半导体材料的制备 | 第24-25页 |
1.6 典型的硫化物光催化剂 | 第25-28页 |
1.6.1 硫化镉 | 第25-26页 |
1.6.2 硫化锌 | 第26页 |
1.6.3 硫化镍 | 第26-27页 |
1.6.4 硫化钨 | 第27页 |
1.6.5 硫化钼 | 第27-28页 |
1.6.6 硫化铋 | 第28页 |
1.7 论文的研究目的及内容 | 第28-30页 |
第二章 一步水热法制备ZnS/NiS光催化剂 | 第30-46页 |
2.1 引言 | 第30-31页 |
2.2 实验部分 | 第31-36页 |
2.2.1 实验药品和仪器 | 第31-32页 |
2.2.2 ZnS/NiS光催化剂的制备 | 第32-33页 |
2.2.3 ZnS/NiS的光催化产氢反应 | 第33-34页 |
2.2.4 催化剂的表征 | 第34-36页 |
2.3 结果与讨论 | 第36-45页 |
2.3.1 纯ZnS的性质探索 | 第36-39页 |
2.3.2 水热法合成ZnS/NiS光催化剂 | 第39-45页 |
2.4 本章小结 | 第45-46页 |
第三章 CdS/NiS光催化剂可见下光解水制氢研究 | 第46-64页 |
3.1 引言 | 第46-47页 |
3.2 实验部分 | 第47-48页 |
3.2.1 实验药品和仪器 | 第47页 |
3.2.2 CdS/NiS光催化剂的制备 | 第47页 |
3.2.3 CdS/NiS的光解水产氢实验 | 第47页 |
3.2.4 CdS/NiS量子效率的测定 | 第47-48页 |
3.2.5 催化剂的表征 | 第48页 |
3.3 结果与讨论 | 第48-54页 |
3.3.1 水热条件对CdS/NiS产氢活性的影响 | 第48-50页 |
3.3.2 镍镉比例对CdS/NiS产氢活性的影响 | 第50-51页 |
3.3.3 KOH加入量对CdS/NiS产氢活性的影响 | 第51-53页 |
3.3.4 CdS/NiS的产氢重复性 | 第53-54页 |
3.4 CdS/NiS光催化剂的表征 | 第54-60页 |
3.4.1 XRD | 第54-55页 |
3.4.2 SEM | 第55-56页 |
3.4.3 HRTEM | 第56-57页 |
3.4.4 Uv-vis | 第57-58页 |
3.4.5 PL | 第58-59页 |
3.4.6 XPS | 第59-60页 |
3.5 CdS/NiS的光催化机理 | 第60-61页 |
3.6 本章小结 | 第61-64页 |
第四章 CdS/WS_2光催化剂的制备及性能研究 | 第64-74页 |
4.1 引言 | 第64-65页 |
4.2 实验部分 | 第65-66页 |
4.2.1 实验药品和仪器 | 第65页 |
4.2.2 催化剂的制备 | 第65-66页 |
4.2.3 CdS/WS_2的光解水产氢实验 | 第66页 |
4.2.4 催化剂的表征 | 第66页 |
4.3 结果与讨论 | 第66-72页 |
4.3.1 制备方法的选择 | 第66-67页 |
4.3.2 WS_2的预处理 | 第67-68页 |
4.3.3 CdS/WS_2的稳定性 | 第68-69页 |
4.3.4 镉钨含量对CdS/WS_2产氢活性的影响 | 第69-71页 |
4.3.5 CdS/WS_2的产氢重复性 | 第71-72页 |
4.4 本章小结 | 第72-74页 |
第五章 结论 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-84页 |
致谢 | 第84-86页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第86-88页 |
作者和导师简介 | 第88-90页 |
附件 | 第90-91页 |