| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 前言 | 第10页 |
| 1.2 量子点 | 第10-11页 |
| 1.3 量子点的制备 | 第11-14页 |
| 1.3.1 物理方法 | 第11-12页 |
| 1.3.2 化学方法 | 第12-14页 |
| 1.3.3 其他方法 | 第14页 |
| 1.4 量子点的应用 | 第14-16页 |
| 1.5 量子点的表面改性 | 第16-17页 |
| 1.5.1 双官能团配体交换 | 第16页 |
| 1.5.2 表面硅烷化 | 第16页 |
| 1.5.3 高分子聚合物包埋 | 第16-17页 |
| 1.6 荧光硅量子点 | 第17-18页 |
| 1.7 论文的提出及研究意义 | 第18-20页 |
| 第二章 荧光硅量子点的制备及离子检测 | 第20-30页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 实验部分 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验试剂 | 第21页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第21-22页 |
| 2.2.4 测试仪器及测试方法 | 第22页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第22-26页 |
| 2.4 荧光硅量子点在离子检测方面的应用 | 第26-28页 |
| 2.5 小结 | 第28-30页 |
| 第三章 基于荧光硅量子点分子开关的合成 | 第30-40页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 实验部分 | 第31-33页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第31页 |
| 3.2.2 实验步骤 | 第31-32页 |
| 3.2.3 测试仪器及测试方法 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-38页 |
| 3.3.1 形貌与结构特征的表征 | 第33-34页 |
| 3.3.2 螺吡喃功能化荧光硅量子点的光学性能的表征 | 第34-38页 |
| 3.4 小结 | 第38-40页 |
| 第四章 RAFT法在荧光硅量子点表面接枝聚合物 | 第40-52页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 实验部分 | 第41-44页 |
| 4.2.1 实验仪器 | 第41页 |
| 4.2.2 试剂预处理 | 第41-42页 |
| 4.2.3 荧光硅量子点链转移剂（ f-SiQDs-DATC）的合成 | 第42-43页 |
| 4.2.4 RAFT法在荧光硅量子点表面接枝聚异丙基丙烯酰胺制备复合纳米颗粒 | 第43-44页 |
| 4.2.6 测试仪器及测试方法 | 第44页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第44-49页 |
| 4.3.1 荧光硅量子点链转移剂（ f-SiQDs-DATC）的表征 | 第44-46页 |
| 4.3.2 RAFT法制备复合纳米粒子（ f-SiQDs-g-PNIPAM）的表征 | 第46-49页 |
| 4.4 f-Si QDs-g-PNIPAM的温度响应性 | 第49-51页 |
| 4.5 小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 结论 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 附录 | 第65-66页 |
