| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO材料的概述 | 第13-17页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.1.1 六方纤锌矿结构 | 第13-14页 |
| 1.2.1.2 立方闪锌矿结构 | 第14-15页 |
| 1.2.1.3 立方岩盐结构 | 第15页 |
| 1.2.2 ZnO的特性 | 第15页 |
| 1.2.3 ZnO纳米结构的应用 | 第15-17页 |
| 第2章 ZnO纳米结构的制备和表征 | 第17-24页 |
| 2.1 ZnO纳米结构的制备 | 第17-20页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
| 2.1.2 磁控溅射法 | 第18页 |
| 2.1.3 金属有机化学气相沉积法 | 第18页 |
| 2.1.4 脉冲激光沉积法 | 第18-19页 |
| 2.1.5 水热法 | 第19-20页 |
| 2.2 ZnO纳米材料的表征 | 第20-24页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪（XRD） | 第20-21页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第21页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第21-22页 |
| 2.2.4 光致发光（PL） | 第22-23页 |
| 2.2.5 电学性能 | 第23-24页 |
| 第3章 ZnO低维结构的制备和表征 | 第24-31页 |
| 3.1 ZnO/Si低维纳米结构的制备 | 第24-31页 |
| 3.1.1 溶液浓度对ZnO纳米棒/Si的影响 | 第24-27页 |
| 3.1.1.1 XRD表征 | 第24-25页 |
| 3.1.1.2 SEM表征及其能谱 | 第25-26页 |
| 3.1.1.3 溶液浓度对ZnO纳米棒光致发光性能的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.2 生长时间对ZnO纳米棒光致发光的影响 | 第27-28页 |
| 3.1.3 种子层厚度对ZnO纳米棒光致发光的影响 | 第28页 |
| 3.1.4 生长温度对ZnO纳米棒的影响 | 第28-31页 |
| 3.1.4.1 生长温度对ZnO纳米棒光致发光特性的影响 | 第28-29页 |
| 3.1.4.2 生长温度对ZnO纳米棒表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| 第4章 ZnO纳米棒/GaAs异质结构的制备和光电性能 | 第31-40页 |
| 4.1 ZnO/GaAs低维纳米结构的制备 | 第31-33页 |
| 4.1.1 ZnO纳米棒/GaAs异质结的结构及表面形貌 | 第32页 |
| 4.1.2 ZnO纳米棒/GaAs异质结的电特性 | 第32-33页 |
| 4.2 不同反应条件对制备ZnO纳米棒/GaAs异质结构的影响 | 第33-38页 |
| 4.2.1 ZnO种子层厚度对ZnO纳米棒/GaAs异质结的影响 | 第34-35页 |
| 4.2.2 溶液浓度对ZnO纳米棒/GaAs异质结的影响 | 第35-36页 |
| 4.2.3 生长温度对ZnO纳米棒/GaAs异质结的影响 | 第36-37页 |
| 4.2.4 生长时间对ZnO纳米棒/GaAs异质结的影响 | 第37-38页 |
| 4.3 ZnO纳米棒/GaAs异质结的PL测试 | 第38-40页 |
| 4.3.1 溶液浓度对ZnO纳米棒/GaAs异质结PL光谱的影响 | 第38-39页 |
| 4.3.2 反应温度对ZnO纳米棒/GaAs异质结PL光谱的影响 | 第39-40页 |
| 第5章 总结与展望 | 第40-42页 |
| 5.1 总结 | 第40-41页 |
| 5.2 展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-48页 |
| 作者简历 | 第48页 |
