| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 序言 | 第10-13页 |
| 1 引言 | 第13-35页 |
| 1.1 纳米科技的诞生与发展 | 第13-14页 |
| 1.2 纳米材料的性质 | 第14-15页 |
| 1.3 金属硫族化合物半导体纳米材料 | 第15-29页 |
| 1.3.1 金属硫族化合物半导体纳米材料的分类 | 第15-18页 |
| 1.3.2 二维金属硫族纳米材料 | 第18-19页 |
| 1.3.3 金属硫族化合物半导体纳米材料的合成 | 第19-24页 |
| 1.3.4 金属硫族化合物半导体纳米材料的光电应用 | 第24-29页 |
| 1.4 有机/无机纳米复合电双稳器件 | 第29-33页 |
| 1.4.1 有机/无机纳米复合电双稳器件的分类 | 第29-32页 |
| 1.4.2 有机/无机纳米复合电双稳器件的工作机制探讨 | 第32-33页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第33-35页 |
| 2 不同硫醇修饰的Cu_(2-x)S纳米晶的制备及性能研究 | 第35-57页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 CU_(2-x)S纳米晶的制备 | 第36-39页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第36-37页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第37-38页 |
| 2.2.3 Cu_(2-x)S纳米晶的性能测试 | 第38-39页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第39-54页 |
| 2.4 本章小结 | 第54-57页 |
| 3 基于硫醇修饰的Cu_(2-x)S和有机物复合的电双稳器件 | 第57-73页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 器件制备及测试 | 第58-59页 |
| 3.2.1 器件的制备 | 第58-59页 |
| 3.2.2 器件性能测试 | 第59页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第59-71页 |
| 3.3.1 不同硫醇包覆的Cu_(2-x)S的导电性研究 | 第59-60页 |
| 3.3.2 基于不同硫醇包覆的Cu_(2-x)S&PVK复合物的电双稳器件 | 第60-64页 |
| 3.3.3 基于不同硫醇包覆的Cu_(2-x)S&PVA复合物的电双稳器件 | 第64-66页 |
| 3.3.4 基于1-ODT-Cu_(1.94)S与不同有机物复合的电双稳器件 | 第66-70页 |
| 3.3.5 载流子传输机理研究 | 第70-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 4 二维MoS_2纳米材料的制备及电双稳性能研究 | 第73-93页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 MoS_2纳米材料及器件制备 | 第74-75页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第74页 |
| 4.2.2 MoS_2纳米片的制备 | 第74页 |
| 4.2.3 基于MoS_2纳米片的电双稳器件的制备 | 第74-75页 |
| 4.2.4 MoS_2纳米片及电双稳器件的测试 | 第75页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第75-87页 |
| 4.3.1 硫醇钼盐复合物的热重分析 | 第75-76页 |
| 4.3.2 MoS_2纳米片的结构、组分和表面分析 | 第76-79页 |
| 4.3.3 MoS_2纳米片的吸收光谱 | 第79-80页 |
| 4.3.4 MoS_2纳米片的形貌分析 | 第80-82页 |
| 4.3.5 反应时间和反应温度对MoS_2纳米片形貌和晶型的影响 | 第82-85页 |
| 4.3.5.1 反应时间对MoS_2纳米片的形貌影响 | 第82-84页 |
| 4.3.5.2 反应温度对MoS_2纳米片的影响 | 第84-85页 |
| 4.3.6 硫醇用量对MoS_2纳米片的影响 | 第85-87页 |
| 4.4 基于MoS_2纳米片的电双稳器件制备及性能 | 第87-90页 |
| 4.4.1 基于MoS_2纳米片的电双稳器件制备过程 | 第87-88页 |
| 4.4.2 基于MoS_2纳米片&PVK的电双稳器件电学性能 | 第88-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-93页 |
| 5 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-115页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第115-119页 |
| 学位论文数据集 | 第119页 |
