湿度对石墨烯/硅肖特基结电学特性影响的研究
致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
缩略词表 | 第8-13页 |
1 绪论 | 第13-33页 |
1.1 课题研究背景 | 第13页 |
1.2 石墨烯与湿度简介 | 第13-27页 |
1.2.1 石墨烯 | 第13-21页 |
1.2.2 湿度 | 第21-23页 |
1.2.3 湿度传感器 | 第23-27页 |
1.3 石墨烯/硅肖特基器件研究现状 | 第27-30页 |
1.4 论文研究内容与章节安排 | 第30-33页 |
1.4.1 论文的研究内容 | 第30-31页 |
1.4.2 各章节内容安排 | 第31-33页 |
2 石墨烯/硅肖特基器件工艺研究 | 第33-43页 |
2.1 器件制备工艺 | 第33-40页 |
2.1.1 工艺路线流程 | 第33-35页 |
2.1.2 三次光刻 | 第35-37页 |
2.1.3 石墨烯转移与刻蚀 | 第37-39页 |
2.1.4 外围测试电路 | 第39-40页 |
2.2 工艺优缺点、改进与分析 | 第40-42页 |
2.3 本章小结 | 第42-43页 |
3 湿度对石墨烯/硅肖特基结的影响 | 第43-63页 |
3.1 简介 | 第43页 |
3.2 石墨烯/硅肖特基接触 | 第43-44页 |
3.3 器件表征 | 第44-47页 |
3.3.1 拉曼表征 | 第44-45页 |
3.3.2 SEM表征 | 第45-46页 |
3.3.3 AFM表征 | 第46-47页 |
3.4 湿度测试系统 | 第47-48页 |
3.5 测试结果 | 第48-58页 |
3.5.1 性能分析 | 第48-49页 |
3.5.2 i-v特性分析 | 第49-53页 |
3.5.3 c-v特性分析 | 第53-54页 |
3.5.4 MESFET实验 | 第54-57页 |
3.5.5 器件性能 | 第57-58页 |
3.5.6 结果分析 | 第58页 |
3.6 理论分析 | 第58-61页 |
3.6.1 能带结构 | 第58-59页 |
3.6.2 吸附理论 | 第59-60页 |
3.6.3 掺杂理论 | 第60-61页 |
3.6.4 水分子渗透理论 | 第61页 |
3.7 本章小结 | 第61-63页 |
4 氧化石墨烯湿度传感器 | 第63-71页 |
4.1 简介 | 第63页 |
4.2 GO/Gr/Si异质结湿度传感器 | 第63-68页 |
4.2.1 Gr/Si肖特基结器件 | 第63-64页 |
4.2.2 GO敏感层 | 第64-65页 |
4.2.3 GO/Gr/Si性能初步研究 | 第65-68页 |
4.3 本章小结 | 第68-71页 |
5 总结与展望 | 第71-75页 |
5.1 论文的主要内容 | 第71-72页 |
5.2 论文的不足之处 | 第72-73页 |
5.3 结束语 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-81页 |
作者简历及在攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第81-82页 |