| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 存储器的分类与发展概况 | 第10-11页 |
| 1.2 MTM型反熔丝PROM研究背景和意义 | 第11-13页 |
| 1.3 MTM型反熔丝PROM读出系统的性能指标 | 第13-14页 |
| 1.3.1 读取时间 | 第13页 |
| 1.3.2 最大电阻阈值 | 第13-14页 |
| 1.4 论文结构与相关工作 | 第14-15页 |
| 第二章 反熔丝结构 | 第15-26页 |
| 2.1 反熔丝基本概念 | 第15页 |
| 2.2 反熔丝的结构 | 第15-19页 |
| 2.2.1 ONO型反熔丝结构 | 第16-17页 |
| 2.2.2 MTM型反熔丝结构 | 第17-18页 |
| 2.2.3 栅氧化层型反熔丝结构 | 第18-19页 |
| 2.3 MTM型反熔丝击穿原理与导通电阻 | 第19-22页 |
| 2.4 MTM型反熔丝特性参数的分布 | 第22-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 MTM型反熔丝PROM读出系统设计 | 第26-53页 |
| 3.1 PROM概述 | 第26-27页 |
| 3.2 PROM读出系统的组成 | 第27-44页 |
| 3.2.1 地址输入检测模块 | 第27-28页 |
| 3.2.2 脉冲宽度扩展模块 | 第28-33页 |
| 3.2.3 灵敏放大器控制信号生成模块 | 第33-35页 |
| 3.2.4 灵敏放大器模块 | 第35-41页 |
| 3.2.5 DICE数据锁存模块 | 第41-42页 |
| 3.2.6 MTM型反熔丝存储单元 | 第42-44页 |
| 3.3 PROM读出系统的工作原理与读取时间 | 第44-48页 |
| 3.3.1 PROM读出系统的工作原理 | 第44-45页 |
| 3.3.2 PROM读出系统的读取时间 | 第45-48页 |
| 3.4 MTM型反熔丝导通电阻对PROM读出系统性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.4.1 MTM型反熔丝导通电阻对PROM读出系统最大电阻阈值的影响 | 第48-49页 |
| 3.4.2 MTM型反熔丝导通电阻对PROM读出系统读取时间的影响 | 第49-50页 |
| 3.5 PROM读出系统数据自检功能模块 | 第50-52页 |
| 3.5.1 数据自检的必要性 | 第50页 |
| 3.5.2 数据自检功能模块的组成与工作原理 | 第50-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 PROM读出系统及其测试图形的仿真与分析 | 第53-73页 |
| 4.1 PROM读出系统的初始化与读取激励时序 | 第53-55页 |
| 4.1.1 PROM读出系统的初始化时序 | 第53-54页 |
| 4.1.2 PROM读出系统的读取激励时序 | 第54-55页 |
| 4.2 PROM读出系统读取时位线负载分析 | 第55-62页 |
| 4.3 PROM读出系统的仿真与分析 | 第62-68页 |
| 4.3.1 PROM读出系统的前仿真与分析 | 第62-65页 |
| 4.3.2 PROM读出系统的后仿真与分析 | 第65-68页 |
| 4.4 PROM读出系统的测试图形 | 第68-72页 |
| 4.4.1 PROM读出系统测试图形组成 | 第69-70页 |
| 4.4.2 PROM测试图形的仿真与分析 | 第70-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 结论与展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78-79页 |
