| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 In_xGa_(1-x)N薄膜的研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 In_xGa_(1-x)N薄膜的制备难点 | 第10-11页 |
| 1.2.2 In_xGa_(1-x)N薄膜的制备方法 | 第11-14页 |
| 1.3 In_xGa_(1-x)N材料的应用 | 第14-17页 |
| 1.3.1 发光二极管(LED) | 第14-15页 |
| 1.3.2 太阳能电池 | 第15-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容及论文安排 | 第17-19页 |
| 第二章 In_xGa_(1-x)N薄膜的制备方案与表征方法 | 第19-29页 |
| 2.1 溅射镀膜的四种方法 | 第19-22页 |
| 2.1.1 直流溅射 | 第19-20页 |
| 2.1.2 射频溅射 | 第20-21页 |
| 2.1.3 反应溅射 | 第21-22页 |
| 2.1.4 磁控溅射 | 第22页 |
| 2.2 In_xGa_(1-x)N薄膜的制备方案 | 第22-26页 |
| 2.2.1 方案设计 | 第22-23页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 工艺流程 | 第24-26页 |
| 2.3 样品的表征方法 | 第26-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第26页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜和能量色散谱 | 第26-27页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第27页 |
| 2.3.4 拉曼测试 | 第27页 |
| 2.3.5 光致发光 | 第27页 |
| 2.3.6 霍尔测试 | 第27页 |
| 2.3.7 X射线光电子能谱分析 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 InN和GaN薄膜的制备 | 第29-51页 |
| 3.1 InN薄膜的生长模式与制备难点 | 第29页 |
| 3.2 不同工艺参数对InN薄膜生长的影响 | 第29-38页 |
| 3.2.1 压强对生长InN薄膜的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.2 流量比对生长InN薄膜的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.3 衬底温度对生长InN薄膜的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.4 Mg掺杂InN薄膜的制备 | 第35-38页 |
| 3.3 GaN薄膜的制备 | 第38-48页 |
| 3.3.1 不同衬底温度对生长GaN薄膜的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.2 不同压强对生长GaN薄膜的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 不同N_2分压对生长GaN薄膜的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.4 Mg掺杂GaN薄膜的制备 | 第46-48页 |
| 3.4 InN和GaN生长机理的研究 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 In_xGa_(1-x)N薄膜与Mg掺杂In_xGa_(1-x)N薄膜的制备与表征 | 第51-73页 |
| 4.1 金属In靶作为In源制备In_xGa_(1-x)N薄膜 | 第51-53页 |
| 4.2 不同工艺参数对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第53-63页 |
| 4.2.1 功率对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第53-56页 |
| 4.2.2 衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第56-59页 |
| 4.2.3 压强对In_xGa_(1-x)N薄膜生长的影响 | 第59-63页 |
| 4.3 Mg掺杂的In_xGa_(1-x)N薄膜制备 | 第63-66页 |
| 4.4 薄膜的AFM分析 | 第66-68页 |
| 4.5 薄膜的拉曼分析 | 第68页 |
| 4.6 薄膜的光致发光性能分析 | 第68-69页 |
| 4.7 薄膜的电学性能分析 | 第69-70页 |
| 4.8 In_xGa_(1-x)N薄膜的生长机理 | 第70-71页 |
| 4.9 本章小结 | 第71-73页 |
| 总结与展望 | 第73-75页 |
| 工作总结 | 第73页 |
| 工作展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-85页 |
| 硕士期间取得的学术成果 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
