| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·课题研究背景 | 第7-9页 |
| ·抗辐照 SRAM 的研究 | 第9-10页 |
| ·目前存在的问题 | 第10页 |
| ·论文主要工作 | 第10页 |
| ·论文基本架构 | 第10-12页 |
| 第二章 SRAM 基本工作原理及辐照对其的影响 | 第12-20页 |
| ·SRAM 基本工作原理 | 第12-14页 |
| ·存储单元工作原理 | 第12-13页 |
| ·读写操作原理 | 第13-14页 |
| ·辐照效应及其损伤机理 | 第14-17页 |
| ·总剂量效应 | 第14-16页 |
| ·单粒子效应 | 第16-17页 |
| ·辐照对 SRAM 的影响 | 第17-19页 |
| ·总剂量效应对 SRAM 的影响 | 第17-18页 |
| ·单粒子效应对 SRAM 的影响 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 抗辐照 SRAM 的电路设计 | 第20-53页 |
| ·SRAM 总体设计 | 第20-24页 |
| ·SRAM 写通路设计 | 第23页 |
| ·SRAM 读通路设计 | 第23-24页 |
| ·抗辐照 SRAM 存储单元的设计 | 第24-28页 |
| ·普通六管型结构 | 第24-25页 |
| ·高阻多晶抗辐照结构 | 第25-26页 |
| ·DICE 抗辐照结构 | 第26-28页 |
| ·存储单元抗辐照性能比较 | 第28页 |
| ·地址转换监控电路 | 第28-34页 |
| ·电路设计 | 第28-31页 |
| ·电路仿真与分析 | 第31-34页 |
| ·地址译码电路 | 第34-39页 |
| ·译码原理 | 第34-36页 |
| ·译码电路设计 | 第36-39页 |
| ·电路仿真与分析 | 第39页 |
| ·读写控制逻辑 | 第39-44页 |
| ·写操作关键路径 | 第40-41页 |
| ·读操作关键路径 | 第41-42页 |
| ·电路仿真及分析 | 第42-44页 |
| ·灵敏放大器电路 | 第44-46页 |
| ·灵敏放大器电路设计 | 第44-45页 |
| ·电路仿真及分析 | 第45-46页 |
| ·EDAC 纠错逻辑设计 | 第46-52页 |
| ·EDAC 汉明码编码设计 | 第46-48页 |
| ·EDAC 汉明码编码电路实现 | 第48-51页 |
| ·EDAC 模块对 SRAM 的影响 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 抗辐照 SRAM 版图设计 | 第53-58页 |
| ·概要 | 第53页 |
| ·总剂量加固技术 | 第53-55页 |
| ·整体版图布局与规划 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 抗辐照 SRAM 仿真及实验测试 | 第58-71页 |
| ·概要 | 第58页 |
| ·时序设计及电路仿真 | 第58-64页 |
| ·SRAM 读写时序设计 | 第58-61页 |
| ·整体功能仿真结果 | 第61-64页 |
| ·SRAM 总剂量辐照实验 | 第64-65页 |
| ·总剂量效应实验系统 | 第64页 |
| ·SRAM 芯片总剂量实验结果 | 第64-65页 |
| ·SRAM 单粒子辐照实验 | 第65-69页 |
| ·单粒子实验装置 | 第65-68页 |
| ·单粒子实验测试监测系统 | 第68-69页 |
| ·单粒子实验结果 | 第69页 |
| ·实验结果对比 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 主要结论与展望 | 第71-73页 |
| ·主要结论 | 第71页 |
| ·展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附录Ⅰ：抗辐照 SRAM 读写 TestBench 代码 | 第78-82页 |
| 附录Ⅱ：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第82页 |