| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-28页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·硬盘存储器 | 第8-9页 |
| ·动态随机存储器 | 第9-10页 |
| ·非易失性存储器 | 第10页 |
| ·有机双稳态记忆器件研究背景 | 第10-24页 |
| ·有机双稳态记忆器件的基本电学特性 | 第11-14页 |
| ·有机双稳态记忆器件的分类 | 第14-17页 |
| ·有机双稳态记忆器件的电阻转变机制 | 第17-24页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 实验方法与样品制备 | 第28-39页 |
| ·样品的基底 | 第28-31页 |
| ·清洗 | 第28-30页 |
| ·臭氧处理 | 第30-31页 |
| ·有机双稳态器件的制备 | 第31-36页 |
| ·材料介绍 | 第31-34页 |
| ·生长设备介绍 | 第34-35页 |
| ·器件薄膜厚度的监测 | 第35-36页 |
| ·器件性能的测试 | 第36-38页 |
| ·电流电压特性测量 | 第37页 |
| ·温度特性表征 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 有机介质层的导电性对于有机记忆器件电学特性影响研究 | 第39-52页 |
| ·研究背景 | 第39-40页 |
| ·器件的制备和表征方法 | 第40-41页 |
| ·采用Alq3有机层的双稳态器件基本电学特性 | 第41-42页 |
| ·采用Pentacene有机层的双稳态器件的电学特性 | 第42-44页 |
| ·调制器件导电性对Pentacene器件双稳态特性的影响 | 第44-47页 |
| ·导电特性的调制对CuPc双稳态器件的影响 | 第47-49页 |
| ·机理讨论 | 第49-50页 |
| 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 有机双稳态器件中场致金属纳米针尖的生长机制研究 | 第52-63页 |
| ·研究背景 | 第52-53页 |
| ·器件的制备及表征 | 第53页 |
| ·低温下有机双稳态器件的延迟开启效应 | 第53-56页 |
| ·电场对有机双稳态器件延迟开启效应的影响 | 第56-58页 |
| ·理论解释 | 第58-60页 |
| 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 气氛对有机双稳态器件的影响 | 第63-76页 |
| ·研究背景 | 第63-64页 |
| ·器件的制备及表征 | 第64-65页 |
| ·Al电极有机双稳态器件的气氛效应 | 第65-70页 |
| ·Au电极有机双稳态器件的气氛效应 | 第70-72页 |
| ·气氛效应的理论解释 | 第72-73页 |
| 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 攻读博士学位期间论文发表情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
