| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-30页 |
| ·应用于铁电存储器的材料 | 第9-11页 |
| ·PZT,SBT,BiFeO_3 | 第9-11页 |
| ·有机铁电材料P(VDF-TrFE) | 第11页 |
| ·薄膜铁电材料的制备方式 | 第11-15页 |
| ·磁控溅射 | 第12-13页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第13-14页 |
| ·制备有机P(VDF-TrFE)薄膜的方法 | 第14-15页 |
| ·铁电存储器采用的结构 | 第15-17页 |
| ·1T/1C结构和铁电场效应晶体管(FeFET) | 第15-17页 |
| ·铁电存储器的发展 | 第17-22页 |
| ·高密度铁电存储器的研究进展 | 第17-22页 |
| ·超薄铁电膜中的TER效应 | 第17-20页 |
| ·极化调制阻变效应 | 第20-22页 |
| ·低成本有机铁电存储器 | 第22页 |
| ·本文的研究方向及主要内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-30页 |
| 第二章 铁酸铋薄膜的制备和微观表征 | 第30-47页 |
| ·原子力显微镜AFM简介 | 第30-31页 |
| ·单晶钛酸锶(SrTiO_3)衬底的处理 | 第31-32页 |
| ·导电氧化物底电极的沉积 | 第32-35页 |
| ·组分比例对铁酸铋薄膜性能的影响 | 第35-42页 |
| ·薄膜组分对铁酸铋薄膜表面形貌的影响 | 第35-37页 |
| ·不同组分铁酸铋薄膜的电畴和压电效应 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第三章 基于脉冲方法的快速铁电性能测量 | 第47-60页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·传统铁电性能测量方法 | 第47-50页 |
| ·基于脉冲方法的铁电性能测量 | 第50-52页 |
| ·纳秒量级的铁电性能表征 | 第52-54页 |
| ·半导体铁酸铋薄膜的电滞回线和电畴翻转机制 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第四章 铁酸铋薄膜的电学性能研究 | 第60-78页 |
| ·铁酸铋薄膜漏电流的机制 | 第60页 |
| ·不同铁含量对薄膜铁电性能的影响 | 第60-64页 |
| ·电荷注入方法提高应力铁酸铋薄膜保持性能 | 第64-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第五章 P(VDF-TrFE)薄膜制备和表征 | 第78-103页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·样品制备 | 第78-80页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的制备 | 第78-79页 |
| ·薄膜厚度的测定 | 第79-80页 |
| ·不同厚度P(VDF-TrFE)薄膜矫顽电压的频率依赖关系 | 第80-83页 |
| ·串联等效电容模型对P(VDF-TrFE)薄膜的分析 | 第83-94页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的电畴翻转响应 | 第83-86页 |
| ·剩余极化模型的建立 | 第86-90页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的等效电容 | 第90-94页 |
| ·不同厚度的P(VDF-TrFE)薄膜的本征矫顽电场比较 | 第94-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 第六章 结论 | 第103-105页 |
| 发表文章目录 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
