| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管应用简介 | 第7-9页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管可靠性研究概述 | 第9-11页 |
| ·p 型多晶硅薄膜晶体管研究现状 | 第11-16页 |
| ·实验样品制备 | 第16-18页 |
| ·本文主要工作以及论文结构安排 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 动态负偏置温度应力下的退化研究与机制分析 | 第23-45页 |
| ·直流负偏置温度应力下的退化简介 | 第23-24页 |
| ·动态负偏置温度应力条件 | 第24-27页 |
| ·器件退化规律 | 第27-37页 |
| ·动态负偏置温度应力下器件的I-V 特性 | 第27-28页 |
| ·高电平持续时间对器件动态退化的影响 | 第28-30页 |
| ·脉冲幅度对器件动态退化的影响 | 第30-31页 |
| ·应力温度对器件动态退化的影响 | 第31-33页 |
| ·脉冲上升沿下降沿对器件动态退化的影响 | 第33-35页 |
| ·动态负偏置温度应力下器件的C-V 特性 | 第35-37页 |
| ·器件退化模型分析及验证 | 第37-41页 |
| ·器件退化模型 | 第37-38页 |
| ·退化模型的软件模拟验证 | 第38-40页 |
| ·退化模型的实验验证 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第三章 动态负偏置温度应力下亚阈值区hump 现象分析 | 第45-56页 |
| ·亚阈值区hump 现象简介 | 第45-47页 |
| ·动态负偏置应力下的hump 现象特性分析 | 第47-50页 |
| ·亚阈值区hump 现象退化模型分析 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 结论及未来工作 | 第56-58页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |