| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管在有源矩阵液晶显示中的应用 | 第8-9页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管结构及特性介绍 | 第9-10页 |
| ·可靠性研究现状 | 第10-13页 |
| ·本文实验方法与研究手段 | 第13-14页 |
| ·器件制备工艺 | 第13页 |
| ·实验研究手段 | 第13-14页 |
| ·本论文研究的基本内容 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 非晶硅薄膜晶体管在栅极电应力下的退化研究 | 第18-37页 |
| ·正栅压应力 | 第18-22页 |
| ·直流应力 | 第18-20页 |
| ·交流应力 | 第20-22页 |
| ·负栅压应力 | 第22-33页 |
| ·直流应力 | 第22-24页 |
| ·交流应力 | 第24-31页 |
| ·低频应力 | 第25-28页 |
| ·高频应力 | 第28-31页 |
| ·Ioff 退化研究 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 非晶硅薄膜晶体管在栅漏电应力下的退化研究 | 第37-44页 |
| ·直流漏端电压应力 | 第37-39页 |
| ·交流漏端电压应力 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 N 型低温多晶硅薄膜晶体管中输出特性测量引起器件退化的问题及其优化 | 第44-57页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管简介 | 第44-47页 |
| ·结构及制备 | 第44-45页 |
| ·可靠性研究现状 | 第45-47页 |
| ·器件制备工艺 | 第47-48页 |
| ·器件退化特征 | 第48-51页 |
| ·输出特性测量的优化 | 第51-53页 |
| ·讨论 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第五章 结论及未来工作 | 第57-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |