| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| ·ZnO 材料结构与特性 | 第8-11页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·ZnO 材料的光致发光性质 | 第9-10页 |
| ·ZnO 材料与自旋电子学 | 第10-11页 |
| ·ZnO 材料的器件应用 | 第11-13页 |
| ·ZnO 材料用作透明电极 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜用作表面声波器件 | 第12页 |
| ·光电器件的单片集成 | 第12-13页 |
| ·当前 ZnO 材料研究面临的问题 | 第13页 |
| ·本论文的研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备技术 | 第16-24页 |
| ·ZnO 薄膜的制备技术 | 第16-20页 |
| ·直流溅射镀膜技术 | 第16-17页 |
| ·射频溅射镀膜技术 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射原理 | 第18-19页 |
| ·射频磁控溅射技术的特点 | 第19-20页 |
| ·ZnO 薄膜的其他制备技术 | 第20-23页 |
| ·蒸发镀膜技术 | 第20页 |
| ·分子束外延技术 | 第20-21页 |
| ·化学气相沉积 | 第21页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第21-22页 |
| ·激光脉冲沉积法 | 第22页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 实验与表征 | 第24-34页 |
| ·薄膜的制备与沉积参数 | 第24-28页 |
| ·Si 基片的清洗 | 第24页 |
| ·薄膜沉积装置 | 第24-27页 |
| ·样品的退火处理装置 | 第27页 |
| ·样品沉积参数 | 第27-28页 |
| ·薄膜的表征 | 第28-33页 |
| ·膜厚的测量 | 第28-29页 |
| ·透射电子显微镜以及选区电子衍射 | 第29-30页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
| ·扫描电镜 X 射线能谱分析 | 第32页 |
| ·紫外透射和吸收谱分析 | 第32页 |
| ·光致发光谱分析 | 第32-33页 |
| ·超导量子干涉仪 | 第33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第四章 ZnO 薄膜的分形生长 | 第34-44页 |
| ·分形和分形维数 | 第34-35页 |
| ·分形简介 | 第34页 |
| ·分形维数的计算 | 第34-35页 |
| ·蒙特卡罗方法简介 | 第35页 |
| ·薄膜的分形生长 | 第35-42页 |
| ·不同基片上薄膜生长的不同形貌 | 第36-38页 |
| ·不同温度下薄膜的生长 | 第38-42页 |
| 本章结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第五章 退火对 ZnO 薄膜的结构和光致发光性质的影响 | 第44-48页 |
| ·退火处理方法 | 第44页 |
| ·退火处理对 ZnO 薄膜晶体结构的影响 | 第44-45页 |
| ·退火处理对 ZnO 薄膜光致发光性质的影响 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第六章 Zn_(1-x)Co_xO 薄膜光致发光性质和磁性 | 第48-53页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO 薄膜的制备 | 第48页 |
| ·测定 Zn_(1-x)Co_xO 薄膜中Co 的含量 | 第48-49页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO 薄膜的晶体结构 | 第49-50页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO 薄膜的光致发光性质 | 第50-51页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO 薄膜的紫外-可见透射性质 | 第51页 |
| ·Zn_(1-x)Co_xO 薄膜的磁性测量 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第七章 结论 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 详细摘要 | 第57-61页 |
