| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-66页 |
| ·集成电路(integrated circuit，IC)简介 | 第16-20页 |
| ·集成电路的历史 | 第16-17页 |
| ·集成电路技术发展趋势 | 第17-20页 |
| ·IC的制程简介 | 第20-23页 |
| ·IC的前段制程(FEOL): MOSFET晶体管 | 第20-21页 |
| ·IC的后段制程(BEOL):互连线系统 | 第21-23页 |
| ·国际半导体技术发展路线图 | 第23页 |
| ·集成电路的微小化 | 第23-25页 |
| ·MOSFET闸极尺寸(特征尺寸)减小带来的挑战 | 第23-24页 |
| ·金属互连线系统的挑战 | 第24-25页 |
| ·RC延迟(resistance-capacitance delay，RC Delay) | 第25-32页 |
| ·互连线结构改变降低RC延迟 | 第28-29页 |
| ·互连线材料改变降低RC延迟 | 第29-32页 |
| ·铜互连线技术 | 第32-35页 |
| ·金属化技术 | 第33-34页 |
| ·ULSI对金属化技术的需求 | 第34-35页 |
| ·金属导线失效机制—致电迁移 | 第35-36页 |
| ·互连线金属化材料的选择 | 第36-38页 |
| ·铜金属化的问题 | 第38-44页 |
| ·铜的刻蚀问题 | 第38-40页 |
| ·铜与现有材料兼容的问题: | 第40-42页 |
| ·扩散阻挡层 | 第42-44页 |
| ·铜薄膜的沉积方法 | 第44-53页 |
| ·物理气相沉积 | 第44-45页 |
| ·电镀法 | 第45-46页 |
| ·化学气相沉积 | 第46-53页 |
| ·自组装单分子膜简介 | 第53-55页 |
| ·自组装单分子膜做为扩散阻挡层 | 第55页 |
| ·本论文的工作 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 第二章 硅基材上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第66-89页 |
| ·前言 | 第66-69页 |
| ·实验准备 | 第69-72页 |
| ·实验药品与材料 | 第69-70页 |
| ·实验仪器 | 第70-72页 |
| ·分析仪器 | 第72页 |
| ·实验步骤 | 第72-74页 |
| ·基材处理 | 第72-73页 |
| ·CVD铜薄膜进程 | 第73-74页 |
| ·反应条件 | 第74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-85页 |
| ·载气对CVD铜薄膜的影响 | 第74-78页 |
| ·硅基材上CVD铜薄膜的沉积速率 | 第78-80页 |
| ·CVD铜在Si(100)和SiO_2基材表面成核行为研究 | 第80-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
| 第三章 巯基为端基自组装单分子层上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第89-120页 |
| ·前言 | 第89-92页 |
| ·实验准备 | 第92-94页 |
| ·实验药品与材料 | 第92-93页 |
| ·实验仪器 | 第93页 |
| ·分析仪器 | 第93-94页 |
| ·实验步骤 | 第94-97页 |
| ·自组装单分子膜的成长 | 第94-95页 |
| ·铜薄膜的成长 | 第95-97页 |
| ·实验结果与讨论 | 第97-115页 |
| ·MPTMS自组装单分子膜表面水接触角 | 第97-99页 |
| ·MPTMS自组装单分子膜厚度 | 第99-104页 |
| ·MPTMS自组装单分子膜的XPS表征 | 第104-105页 |
| ·MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的化学和结构特征 | 第105页 |
| ·MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的沉积速率 | 第105-108页 |
| ·MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的表面形貌演变 | 第108-112页 |
| ·MPTMS-SAMs上CVD铜薄膜的电性质 | 第112页 |
| ·I-V曲线 | 第112-114页 |
| ·CVD铜与MPTMS-SAMs的相互作用 | 第114-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-120页 |
| 第四章 氨基为端基自组装单分子层上化学气相沉积铜薄膜研究 | 第120-148页 |
| ·前言 | 第120-121页 |
| ·实验准备 | 第121-123页 |
| ·实验药品与材料 | 第121-122页 |
| ·实验仪器 | 第122页 |
| ·分析仪器 | 第122-123页 |
| ·实验步骤 | 第123-124页 |
| ·自组装单分子膜的成长 | 第123页 |
| ·CVD铜薄膜进程 | 第123-124页 |
| ·实验结果与讨论 | 第124-145页 |
| ·APTMS-SAMs的厚度 | 第124-129页 |
| ·APTMS-SAMs的接触角 | 第129-134页 |
| ·APTMS自组装单分子膜的XPS表征 | 第134-135页 |
| ·温度对APTMS-SAMs改性基材上CVD铜薄膜的影响 | 第135-137页 |
| ·APTMS-SAMs上CVD铜薄膜表面粗糙度与温度的关系 | 第137-138页 |
| ·APTMS-SAMs改性基材上CVD铜薄膜结构 | 第138-140页 |
| ·APTMS-SAMs改性前后基材表面上铜成核行为比较 | 第140-143页 |
| ·CVD铜与APTMS-SAMs的相互作用 | 第143-144页 |
| ·APMTS-SAMs的阻挡层作用 | 第144-145页 |
| ·本章小结 | 第145-146页 |
| 参考文献 | 第146-148页 |
| 第五章 自组装单分子层上选择性化学气相沉积研究 | 第148-173页 |
| ·前言 | 第148-150页 |
| ·实验准备 | 第150-151页 |
| ·实验药品与材料 | 第150-151页 |
| ·实验仪器 | 第151页 |
| ·分析仪器 | 第151页 |
| ·实验步骤 | 第151-152页 |
| ·自组装单分子膜的成长 | 第151-152页 |
| ·SAMs的改性 | 第152页 |
| ·铜薄膜的沉积 | 第152页 |
| ·自组装单分子膜的表征 | 第152-154页 |
| ·接触角的测量 | 第152-153页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第153-154页 |
| ·自组装单分子膜上选择性化学气相沉积 | 第154-163页 |
| ·铜图案化的实现 | 第163-170页 |
| ·本章小结 | 第170-171页 |
| 参考文献 | 第171-173页 |
| 第六章 总结与展望 | 第173-175页 |
| 总结 | 第173-174页 |
| 展望 | 第174-175页 |
| 博士期间发表论文 | 第175-176页 |
| 致谢 | 第176页 |
