| 第一章 引言 | 第1-11页 |
| ·研究背景及其意义 | 第8页 |
| ·国内外研制动态 | 第8-10页 |
| ·本论文的工作 | 第10-11页 |
| 第二章 SOI 及SiGe 技术介绍 | 第11-25页 |
| ·SOI 技术 | 第11-17页 |
| ·SOI MOSFET 的优点 | 第11-13页 |
| ·SOI MOSFET 器件的结构类型 | 第13-14页 |
| ·寄生效应 | 第14-15页 |
| ·SOI MOSFET 的器件特性 | 第15-17页 |
| ·SiGe 材料 | 第17-19页 |
| ·应变Si 材料 | 第19-24页 |
| ·应变Si 的概念 | 第19页 |
| ·应变作用下能带变化 | 第19-20页 |
| ·异质结能带结构 | 第20-22页 |
| ·二维电子气 | 第22-24页 |
| ·SOI 技术和SiGe 技术的结合 | 第24-25页 |
| 第三章 Strained-SOI MOSFET 器件模型分析 | 第25-37页 |
| ·器件结构 | 第25-26页 |
| ·阈值电压模型 | 第26-33页 |
| ·阈值电压模型的建立 | 第26-29页 |
| ·阈值电压模型分析 | 第29-33页 |
| ·迁移率模型 | 第33-34页 |
| ·I-V 特性模型 | 第34-36页 |
| ·跨导模型 | 第36-37页 |
| 第四章 Strained-Si SOI MOSFET 器件优化设计 | 第37-49页 |
| ·器件设计 | 第37-44页 |
| ·栅极类型和栅氧化层厚度 | 第37-38页 |
| ·应变Si 层厚度 | 第38-39页 |
| ·弛豫SiGe 层的Ge 组分 | 第39-40页 |
| ·埋氧层的深度 | 第40-41页 |
| ·掺杂浓度 | 第41-42页 |
| ·埋氧层厚度 | 第42-44页 |
| ·优化设计步骤 | 第44页 |
| ·模拟结果和分析 | 第44-49页 |
| ·锗组分与能带的分布 | 第44-45页 |
| ·提取的电子迁移率 | 第45-46页 |
| ·输出特性曲线 | 第46-49页 |
| 第五章 器件制备关键工艺技术 | 第49-60页 |
| ·SiGe-OI 衬底制备 | 第49-55页 |
| ·SiGe-OI 衬底制备方法 | 第49-50页 |
| ·关键工艺技术 | 第50-53页 |
| ·异质材料外延生长技术 | 第50-52页 |
| ·SIMOX 技术 | 第52-53页 |
| ·SiGe-OI 衬底的制备步骤 | 第53-54页 |
| ·实验的问题及分析 | 第54-55页 |
| ·低温栅介质制备研究 | 第55-56页 |
| ·离子注入技术研究 | 第56-58页 |
| ·工艺流程 | 第58页 |
| ·版图设计 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 研究生期间发表论文 | 第64页 |