| 第一章 文献综述 | 第1-21页 |
| ·锆钛酸铅镧材料简介 | 第9-11页 |
| ·PLZT薄膜用于存储器件的研究现状及应用前景 | 第11-13页 |
| ·PLZT薄膜的制备 | 第13-16页 |
| ·PLZT薄膜的制备方法 | 第13页 |
| ·影响PLZT薄膜的因素 | 第13-16页 |
| ·PLZT薄膜的微图形与微阵列研究 | 第16-19页 |
| ·研究进展 | 第16-18页 |
| ·微细加工方法 | 第18-19页 |
| ·本文的研究目的与主要研究工作 | 第19-21页 |
| 第二章 实验方案设计与溶胶配制 | 第21-32页 |
| ·实验方案设计 | 第21-24页 |
| ·组分的选择 | 第21-22页 |
| ·研究思路 | 第22-24页 |
| ·实验条件 | 第24-28页 |
| ·介电性能的表征 | 第24-25页 |
| ·铁电性能的表征 | 第25-26页 |
| ·实验设备 | 第26-28页 |
| ·PLZT稳定溶胶的配制 | 第28-30页 |
| ·试剂的选择 | 第28页 |
| ·稳定溶胶的配制 | 第28-30页 |
| ·用于晶种层制备的溶胶的配制 | 第30-31页 |
| ·PT溶胶的配制 | 第30-31页 |
| ·PLT溶胶的配制 | 第31页 |
| ·用作隔离层的TiO_2溶胶的配制 | 第31-32页 |
| 第三章 不同底电极下PLZT薄膜电性能的研究 | 第32-41页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·Pt底电极上PLZT薄膜电性能的研究 | 第32-35页 |
| ·PLZT薄膜的热处理 | 第32-34页 |
| ·不同热处理温度下PLZT薄膜介电性能的比较 | 第34-35页 |
| ·ITO底电极上PLZT薄膜电性能的研究 | 第35-37页 |
| ·SnO_2底电极上PLZT薄膜电性能的研究 | 第37-39页 |
| ·不同底电极上PLZT薄膜介电性能的比较 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40-41页 |
| 第四章 晶种层对PLZT薄膜的晶化及性能的影响 | 第41-55页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·PLT晶种层对PLZT薄膜的晶化及性能的影响 | 第41-51页 |
| ·PLT晶种层对PLZT薄膜晶化的影响 | 第41-43页 |
| ·热处理温度对含PLT晶种层的PLZT薄膜性能的影响 | 第43-44页 |
| ·PLT晶种层的晶化状态对PLZT薄膜性能的影响 | 第44-46页 |
| ·PLT晶种层厚度对PLZT薄膜性能的影响 | 第46-49页 |
| ·PLT晶种层与PLZT薄膜的不同组合结构对薄膜性能的影响 | 第49-51页 |
| ·PT晶种层对PLZT薄膜的生长及性能的影响 | 第51-52页 |
| ·PT、PLT晶种层的对比分析 | 第52-53页 |
| ·结论 | 第53-55页 |
| 第五章 PLZT薄膜微图形与微阵列制备 | 第55-71页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·化学修饰法原理 | 第55-56页 |
| ·PLZT凝胶的光谱分析 | 第56-59页 |
| ·PLZT薄膜的紫外感光特性 | 第59-60页 |
| ·不同热处理温度下PLZT薄膜紫外红外光谱分析 | 第60-62页 |
| ·PLZT薄膜的微图形化 | 第62-64页 |
| ·微图形化工艺流程 | 第62-63页 |
| ·微图形化制备结果 | 第63-64页 |
| ·激光双光束干涉法制备PLZT做阵列 | 第64-69页 |
| ·PLZT铁电阵列制备的基本原理 | 第64-66页 |
| ·双光束干涉光路图 | 第66页 |
| ·光路布置的计算 | 第66-68页 |
| ·光栅和陈列的制备 | 第68-69页 |
| ·结论 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 作者在硕士期间撰写和发表的论文 | 第80页 |