| 序 | 第1-4页 |
| 目录 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Absbact | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·超导发展简史 | 第10-14页 |
| ·超导技术的应用前景 | 第14-17页 |
| ·铊系超导材料简介 | 第17-19页 |
| ·论文的意义、方法和内容 | 第19-21页 |
| 第二章 铊系薄膜的制备 | 第21-26页 |
| ·影响铊化的因素 | 第21-23页 |
| ·铊系高温超导薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| ·本文所采用的方法和衬底的选择 | 第24-26页 |
| 第三章 PLD设备简介和工作原理 | 第26-36页 |
| ·脉冲激光沉积设备简介 | 第26-30页 |
| ·激光沉积技术的原理 | 第30-32页 |
| ·激光沉积的特征和参数 | 第32-36页 |
| 第四章 先驱膜的制备 | 第36-39页 |
| ·先驱膜溅射靶材的制备 | 第36-37页 |
| ·先驱膜的制备 | 第37-39页 |
| 第五章 铊化工艺的探索 | 第39-46页 |
| ·铊化炉的设计 | 第39-40页 |
| ·铊源的制备 | 第40-41页 |
| ·先驱膜铊化工艺的研究 | 第41-46页 |
| 第六章 T1-2212薄膜超导性质的研究 | 第46-63页 |
| ·T1-2212薄膜T_(c0)的测量 | 第46-50页 |
| ·T1-2212薄膜X射线衍射谱图分析 | 第50-54页 |
| ·T1-2212薄膜表面结构的SEM观察和EDX分析 | 第54-61页 |
| ·T1-2212薄膜的临界电流密度Jc和表面电阻Rs的测量 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |