GaN欧姆接触与MSM结构紫外探测器研究

目录	第1-8页
第一章 前言	第8-11页
第二章 GaN材料的制备与应用	第11-26页
·GaN基材料的基本性质	第11-12页
·GaN材料的制备方法	第12-17页
·GaN基材料在电子器件上的应用	第17-19页
·GaN基光电子器件的发展	第19-25页
·发光二极管(LED)	第20-23页
·激光二极管(LD)	第23-24页
·紫外探测器(UV Detector)	第24-25页
参考文献	第25-26页
第三章 GaN材料欧姆接触研究	第26-44页
·欧姆接触的基本原理	第27-29页
·欧姆接触电阻率的测量	第29-32页
·p-GaN欧姆接触研究	第32-36页
·p-GaN欧姆接触的研究现状	第32-33页
·提高p型GaN欧姆接触特性的几个手段	第33-36页
·n-GaN欧姆接触研究	第36-42页
·表面处理实验	第37-40页
·热退火实验	第40-42页
参考文献	第42-44页
第四章 光导型GaN紫外探测器的研究	第44-58页
·GaN基紫外探测器研究现状	第44-52页
·光电导探测器	第44-46页
·光伏探测器	第46-48页
·MSM(金属-半导体-金属)结构探测器	第48-49页
·部分实验成果的介绍	第49-52页
·GaN紫外探测器的制作	第52-53页
·实验结果与讨论	第53-57页
·结论	第57页
参考文献	第57-58页
第五章 MSM光导型探测器结构的研究	第58-65页
·器件结构与物理模型	第58-59页
·Matlab仿真结果与分析	第59-64页
·电场强度与几何参数的关系	第61-62页
·电场均匀性与几何参数的关系	第62-64页
·讨论	第64页
参考文献	第64-65页
第六章 实验工作总结	第65-67页
致谢	第67页