| 声明 | 第1-7页 |
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·GaN基第三代半导体材料 | 第12-14页 |
| ·GaN基材料的基本特性及其制备 | 第14-18页 |
| ·GaN基化合物的基本特性 | 第14-15页 |
| ·GaN基材料的制备历史 | 第15-16页 |
| ·GaN基材料的制备 | 第16页 |
| ·GaN材料的衬底选择 | 第16-18页 |
| ·GaN基光电器件的研究进展 | 第18-19页 |
| ·本组GaN研究现状 | 第19页 |
| ·本论文的工作和安排 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 GaN MOCVD外延生长及低温缓冲层技术 | 第24-35页 |
| ·MOCVD法及GaN基化合物生长 | 第24-27页 |
| ·GaN/蓝宝石的MOCVD二步法生长 | 第27-31页 |
| ·二步法生长技术 | 第27-28页 |
| ·低温缓冲层优化技术 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第三章 近垂直入射激光反射在位监测系统 | 第35-58页 |
| ·薄膜外延生长在位监测方法介绍 | 第35-37页 |
| ·近垂直入射激光反射在位监测系统 | 第37-39页 |
| ·GaN MOCVD生长过程在位监测曲线分析 | 第39-55页 |
| ·在位监测系统配置及光学原理 | 第39-41页 |
| ·在位监测曲线阶段分析 | 第41-42页 |
| ·外延层厚度及生长速率的计算 | 第42-47页 |
| ·缓冲层厚度的标定 | 第47-49页 |
| ·表面粗糙度变化过程的定量分析 | 第49-55页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·监测曲线拟合 | 第50-53页 |
| ·高温GaN外延AFM观察 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第四章 缓冲层各生长参数影响规律的在位监测研究 | 第58-86页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·衬底表面氮化的研究 | 第59-65页 |
| ·引言 | 第59-61页 |
| ·衬底氮化的研究 | 第61-65页 |
| ·大源流量下生长参数影响 | 第65-74页 |
| ·退火时氨气流量 | 第65-67页 |
| ·缓冲层生长的Ⅴ/Ⅲ比 | 第67-69页 |
| ·缓冲层生长温度 | 第69-70页 |
| ·生长时反应室压力 | 第70-72页 |
| ·退火时反应室压力 | 第72页 |
| ·退火速率 | 第72-73页 |
| ·大流量生长条件下实验小结 | 第73-74页 |
| ·小源流量下生长参数影响规律 | 第74-82页 |
| ·生长时氨气流量 | 第75-76页 |
| ·生长时反应室压力 | 第76-78页 |
| ·生长温度 | 第78-79页 |
| ·TMGa流量 | 第79-80页 |
| ·退火速率 | 第80-81页 |
| ·缓冲层厚度 | 第81-82页 |
| ·小流量生长条件下实验小结 | 第82页 |
| ·高温GaN外延层质量的改善 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第五章 生长压力对缓冲层及GaN外延层生长影响 | 第86-100页 |
| ·压力对缓冲层生长及外延层质量的影响 | 第86-94页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·缓冲层生长及AFM、SEM分析 | 第87-90页 |
| ·高温GaN生长及XRD、PL分析 | 第90-94页 |
| ·压力对GaN外延层生长模式的影响 | 第94-99页 |
| ·高压/低压系列样品的生长 | 第94-95页 |
| ·高温GaN生长过程的SEN表面形貌观察 | 第95-98页 |
| ·压力变化时外延层位错密度降低机制 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99页 |
| 参考文献 | 第99-100页 |
| 结论 | 第100-101页 |