| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| §1.1 引言 | 第8页 |
| §1.2 ZnS的基本性质和应用 | 第8-9页 |
| §1.3 ZnS材料的研究方向和进展 | 第9-10页 |
| §1.4 ZnS的晶体结构 | 第10-12页 |
| §1.5 ZnS的常见制备方法 | 第12-13页 |
| §1.6 本论文研究的主要内容和意义 | 第13-14页 |
| 第二章 PLD镀膜技术及ZnS薄膜的制备和测量 | 第14-20页 |
| §2.1 脉冲激光沉积技术 | 第14-16页 |
| §2.2 脉冲激光沉积设备简介 | 第16-17页 |
| §2.3 ZnS薄膜材料的检测技术 | 第17-20页 |
| 第三章 生长参数对玻璃基ZnS薄膜微结构和光学性质的影响 | 第20-32页 |
| §3.1 靶材、衬底清洗与激光调试 | 第20-21页 |
| §3.2 生长参数对ZnS/glass的结构和光学性质的影响 | 第21-28页 |
| §3.3 退火处理对薄膜结构的影响 | 第28-31页 |
| §3.4 小结 | 第31-32页 |
| 第四章 生长参数对Si基ZnS薄膜微结构和光学性质的影响 | 第32-41页 |
| §4.1 生长温度对硅基ZnS薄膜结构的影响 | 第32-35页 |
| §4.2 不同退火处理方式对硅基ZnS薄膜结构的影响 | 第35-40页 |
| §4.3 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 ZnS薄膜电学性质的初步探究 | 第41-43页 |
| 全文总结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 发表论文 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
