| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-36页 |
| ·IC互连结构、材料与可靠性问题 | 第9-12页 |
| ·阻变式随机存储器 | 第12-27页 |
| ·新型非挥发型存储器 | 第12-13页 |
| ·阻变存储器的材料体系 | 第13-15页 |
| ·RRAM的工作机制 | 第15-16页 |
| ·阻变机理 | 第16-24页 |
| ·电阻开关过程中的导电路径 | 第24-25页 |
| ·集成前景 | 第25-27页 |
| ·本论文的选题意义和研究内容 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-36页 |
| 第二章 Cu/Ta/SiO_2/Si多层膜纳米压入与压痕下微观结构的研究 | 第36-53页 |
| ·铜互连体系的可靠性问题与力学特性 | 第36-37页 |
| ·纳米压入实验方法 | 第37-39页 |
| ·实验过程 | 第39-42页 |
| ·样品制备 | 第39-40页 |
| ·纳米压入实验 | 第40-41页 |
| ·压痕下微观结构的研究 | 第41-42页 |
| ·实验结果及讨论 | 第42-50页 |
| ·压痕形貌 | 第42-43页 |
| ·硬度与弹性模量 | 第43-45页 |
| ·压痕下方的微观结构 | 第45-49页 |
| ·应用纳米压入方法进行互连结构力学可靠性评估的可行性 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第三章 针对Cu_xO基阻变存储器的C-AFM表征方法研究 | 第53-73页 |
| ·Cu_xO基RRAM的研究现状 | 第53-54页 |
| ·导电原子力显微分析技术(C-AFM) | 第54-56页 |
| ·实验过程 | 第56-59页 |
| ·样品制备 | 第56-57页 |
| ·Cu_xO薄膜性质表征与MIM器件宏观电学测试 | 第57页 |
| ·Cu_xO基存储单元的C-AFM表征 | 第57-59页 |
| ·实验结果与讨论 | 第59-69页 |
| ·Cux_O薄膜及器件性质 | 第59-62页 |
| ·C-AFM表征结果 | 第62-69页 |
| ·使用C-AFM技术作为阻变材料及器件性能评估方法的可行性 | 第69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 使用等离子体浸没注入技术制备Cu_xN基RRAM的研究 | 第73-111页 |
| ·氮化铜的研究现状 | 第73-75页 |
| ·等离子体浸没注入(PⅢ)技术 | 第75-79页 |
| ·PⅢ设备简介 | 第75-77页 |
| ·PⅢ剂量标定方法 | 第77-79页 |
| ·实验过程 | 第79-82页 |
| ·样品制备 | 第79-81页 |
| ·Cu_xN薄膜性质表征与MIM器件宏观电学测试 | 第81-82页 |
| ·实验结果与讨论 | 第82-104页 |
| ·Cu_xN薄膜的性质 | 第82-89页 |
| ·Cu_xN基RRAM单元的电阻开关特性 | 第89-104页 |
| ·小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-111页 |
| 第五章 基于Al互连结构制备的Cu/AlN/Al单元研究 | 第111-124页 |
| ·AlN概述 | 第111-112页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第112-113页 |
| ·AlN薄膜制备过程 | 第113-114页 |
| ·PⅢ工艺 | 第113-114页 |
| ·PLD工艺 | 第114页 |
| ·实验结果和讨论 | 第114-120页 |
| ·表面形貌 | 第114-115页 |
| ·X射线衍射(XRD)结构分析 | 第115-116页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第116-118页 |
| ·Cu/AlN/Al单元的电学特性 | 第118-120页 |
| ·小结 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-124页 |
| 第六章 总结与展望 | 第124-127页 |
| 参考文献 | 第126-127页 |
| 博士阶段科研成果 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
