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W掺杂VO2/AZO薄膜的制备与性能研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第10-30页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 VO_2的基本性质第12-16页
        1.2.1 VO_2的晶体结构与特性第12-15页
        1.2.2 VO_2的相变机理第15-16页
    1.3 VO_2薄膜的制备方法第16-21页
        1.3.1 溶胶-凝胶法第17-18页
        1.3.2 真空蒸镀法第18-19页
        1.3.3 脉冲激光沉积法第19-20页
        1.3.4 磁控溅射法第20-21页
    1.4 VO_2薄膜的应用第21-24页
        1.4.1 智能窗第22页
        1.4.2 激光防护第22-23页
        1.4.3 光电开关第23页
        1.4.4 非制冷红外探测器第23-24页
        1.4.5 光存储材料第24页
    1.5 VO_2薄膜光学性能改性研究第24-28页
        1.5.1 降低VO_2薄膜相变温度的方法第24-26页
        1.5.2 提高VO_2薄膜光学性能的方法第26-28页
    1.6 本论文的研究内容及意义第28-30页
        1.6.1 研究意义第28-29页
        1.6.2 研究内容第29-30页
第二章 实验与测试第30-34页
    2.1 实验材料第30页
        2.1.1 靶材的选择第30页
        2.1.2 基片的清洗第30页
    2.2 实验仪器第30-31页
        2.2.1 超声波清洗器第30-31页
        2.2.2 磁控溅射设备与工作原理第31页
        2.2.3 石英管式炉第31页
    2.3 实验方法第31-32页
    2.4 薄膜制备的工艺流程第32页
    2.5 表征方法第32-34页
        2.5.1 场发射扫描电子显微镜第33页
        2.5.2 X射线衍射仪第33页
        2.5.3 X射线光电子能谱第33页
        2.5.4 紫外-可见-近红外分光光度计第33-34页
第三章 磁控溅射法制备VO_2薄膜的结构及其光学性能第34-44页
    3.1 研究背景第34-35页
    3.2 实验部分第35页
        3.2.1 氧化钒薄膜的制备第35页
        3.2.2 氧化钒薄膜的测试表征第35页
    3.3 实验结果与分析第35-42页
        3.3.1 O_2/Ar流量比对氧化钒薄膜结构的影响第35-37页
        3.3.2 O_2/Ar流量比对氧化钒薄膜表面形貌的影响第37-38页
        3.3.3 O_2/Ar流量比对氧化钒薄膜价态的影响第38-40页
        3.3.4 VO_2的相变温度和光学性质第40-42页
    3.4 本章小结第42-44页
第四章 W掺杂浓度对VO_2薄膜组织与性能的影响第44-52页
    4.1 研究背景第44-45页
    4.2 实验部分第45页
        4.2.1 W掺杂VO_2薄膜的制备第45页
        4.2.2 W掺杂VO_2薄膜的测试表征第45页
    4.3 实验结果与分析第45-51页
        4.3.1 掺杂浓度第45-46页
        4.3.2 W掺杂对VO_2薄膜结构的影响第46-48页
        4.3.3 W掺杂对VO_2薄膜表面形貌的影响第48-49页
        4.3.4 掺杂样品的光学性质和相变温度第49-51页
    4.4 本章小结第51-52页
第五章 W掺杂VO_2/AZO复合薄膜的结构及其光学性能第52-60页
    5.1 研究背景第52-53页
    5.2 实验部分第53-54页
        5.2.1 W掺杂VO_2/AZO薄膜的制备第53页
        5.2.2 W掺杂VO_2/AZO薄膜的测试表征第53-54页
    5.3 实验结果与分析第54-58页
        5.3.1 溅射功率对AZO薄膜晶体结构的影响第54页
        5.3.2 溅射功率对AZO薄膜表面形貌的影响第54-55页
        5.3.3 W掺杂VO_2/AZO双层薄膜的晶体结构第55-56页
        5.3.4 W掺杂VO_2/AZO双层薄膜的表面形貌第56-57页
        5.3.5 W掺杂VO_2/AZO双层薄膜的光学性能第57-58页
    5.4 本章小结第58-60页
第六章 结论第60-62页
参考文献第62-70页
发表论文和参加科研情况第70-72页
致谢第72页

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