摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-30页 |
1.1 引言 | 第10-12页 |
1.2 VO_2的基本性质 | 第12-16页 |
1.2.1 VO_2的晶体结构与特性 | 第12-15页 |
1.2.2 VO_2的相变机理 | 第15-16页 |
1.3 VO_2薄膜的制备方法 | 第16-21页 |
1.3.1 溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
1.3.2 真空蒸镀法 | 第18-19页 |
1.3.3 脉冲激光沉积法 | 第19-20页 |
1.3.4 磁控溅射法 | 第20-21页 |
1.4 VO_2薄膜的应用 | 第21-24页 |
1.4.1 智能窗 | 第22页 |
1.4.2 激光防护 | 第22-23页 |
1.4.3 光电开关 | 第23页 |
1.4.4 非制冷红外探测器 | 第23-24页 |
1.4.5 光存储材料 | 第24页 |
1.5 VO_2薄膜光学性能改性研究 | 第24-28页 |
1.5.1 降低VO_2薄膜相变温度的方法 | 第24-26页 |
1.5.2 提高VO_2薄膜光学性能的方法 | 第26-28页 |
1.6 本论文的研究内容及意义 | 第28-30页 |
1.6.1 研究意义 | 第28-29页 |
1.6.2 研究内容 | 第29-30页 |
第二章 实验与测试 | 第30-34页 |
2.1 实验材料 | 第30页 |
2.1.1 靶材的选择 | 第30页 |
2.1.2 基片的清洗 | 第30页 |
2.2 实验仪器 | 第30-31页 |
2.2.1 超声波清洗器 | 第30-31页 |
2.2.2 磁控溅射设备与工作原理 | 第31页 |
2.2.3 石英管式炉 | 第31页 |
2.3 实验方法 | 第31-32页 |
2.4 薄膜制备的工艺流程 | 第32页 |
2.5 表征方法 | 第32-34页 |
2.5.1 场发射扫描电子显微镜 | 第33页 |
2.5.2 X射线衍射仪 | 第33页 |
2.5.3 X射线光电子能谱 | 第33页 |
2.5.4 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第33-34页 |
第三章 磁控溅射法制备VO_2薄膜的结构及其光学性能 | 第34-44页 |
3.1 研究背景 | 第34-35页 |
3.2 实验部分 | 第35页 |
3.2.1 氧化钒薄膜的制备 | 第35页 |
3.2.2 氧化钒薄膜的测试表征 | 第35页 |
3.3 实验结果与分析 | 第35-42页 |
3.3.1 O_2/Ar流量比对氧化钒薄膜结构的影响 | 第35-37页 |
3.3.2 O_2/Ar流量比对氧化钒薄膜表面形貌的影响 | 第37-38页 |
3.3.3 O_2/Ar流量比对氧化钒薄膜价态的影响 | 第38-40页 |
3.3.4 VO_2的相变温度和光学性质 | 第40-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-44页 |
第四章 W掺杂浓度对VO_2薄膜组织与性能的影响 | 第44-52页 |
4.1 研究背景 | 第44-45页 |
4.2 实验部分 | 第45页 |
4.2.1 W掺杂VO_2薄膜的制备 | 第45页 |
4.2.2 W掺杂VO_2薄膜的测试表征 | 第45页 |
4.3 实验结果与分析 | 第45-51页 |
4.3.1 掺杂浓度 | 第45-46页 |
4.3.2 W掺杂对VO_2薄膜结构的影响 | 第46-48页 |
4.3.3 W掺杂对VO_2薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
4.3.4 掺杂样品的光学性质和相变温度 | 第49-51页 |
4.4 本章小结 | 第51-52页 |
第五章 W掺杂VO_2/AZO复合薄膜的结构及其光学性能 | 第52-60页 |
5.1 研究背景 | 第52-53页 |
5.2 实验部分 | 第53-54页 |
5.2.1 W掺杂VO_2/AZO薄膜的制备 | 第53页 |
5.2.2 W掺杂VO_2/AZO薄膜的测试表征 | 第53-54页 |
5.3 实验结果与分析 | 第54-58页 |
5.3.1 溅射功率对AZO薄膜晶体结构的影响 | 第54页 |
5.3.2 溅射功率对AZO薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
5.3.3 W掺杂VO_2/AZO双层薄膜的晶体结构 | 第55-56页 |
5.3.4 W掺杂VO_2/AZO双层薄膜的表面形貌 | 第56-57页 |
5.3.5 W掺杂VO_2/AZO双层薄膜的光学性能 | 第57-58页 |
5.4 本章小结 | 第58-60页 |
第六章 结论 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-70页 |
发表论文和参加科研情况 | 第70-72页 |
致谢 | 第72页 |