| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-12页 |
| 1.1.1 太赫兹技术的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 太赫兹技术的应用 | 第10-11页 |
| 1.1.3 太赫兹技术的重要战略意义 | 第11-12页 |
| 1.2 THz波的主要产生手段 | 第12-13页 |
| 1.3 研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第15页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 工艺及器件模型概述 | 第17-27页 |
| 2.1 集成电路工艺特点 | 第17-18页 |
| 2.2 硅基工艺MOSFET的电容 | 第18-19页 |
| 2.3 特征频率与单位功率增益频率 | 第19-23页 |
| 2.3.1 特征频率 | 第19-22页 |
| 2.3.2 单位功率增益频率 | 第22-23页 |
| 2.4 硅基工艺模型及版图简介 | 第23-27页 |
| 第三章 太赫兹振荡器设计相关研究 | 第27-43页 |
| 3.1 传输线设计 | 第27-35页 |
| 3.1.1 传输线参数提取 | 第27-28页 |
| 3.1.2 传输线特征阻抗 | 第28-30页 |
| 3.1.3 传输线结构 | 第30-34页 |
| 3.1.4 共面波导优化总结 | 第34页 |
| 3.1.5 ADS衬底简化 | 第34-35页 |
| 3.2 振荡器振荡理论 | 第35-40页 |
| 3.2.1 振荡器传递函数 | 第35-39页 |
| 3.2.2 仿真验证 | 第39-40页 |
| 3.3 EDA仿真常见问题解决办法 | 第40-43页 |
| 3.3.1 Cadence Specter仿真常见问题解决办法 | 第40-41页 |
| 3.3.2 ADSEM仿真常见问题解决办法 | 第41-43页 |
| 第四章 三推振荡器的分析与设计 | 第43-67页 |
| 4.1 有源器件分析 | 第43-47页 |
| 4.2 三推振荡器设计 | 第47-52页 |
| 4.2.1 三推振荡器理论分析 | 第47-50页 |
| 4.2.3 三推振荡器电路设计 | 第50-51页 |
| 4.2.4 三推振荡器版图设计 | 第51-52页 |
| 4.3 三推振荡器仿真与分析 | 第52-60页 |
| 4.3.1 无源元件仿真 | 第52-56页 |
| 4.3.2 衬底偏置调谐范围仿真 | 第56-57页 |
| 4.3.3 三推振荡器联合仿真 | 第57-60页 |
| 4.4 三推振荡器芯片测试 | 第60-66页 |
| 4.4.1 三推振荡器芯片测试方案 | 第60-64页 |
| 4.4.2 三推振荡器芯片测试结果 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 基于耦合结构的注入锁定VCO设计 | 第67-97页 |
| 5.1 基于耦合结构的注入锁定VCO理论分析 | 第67-74页 |
| 5.1.1 注入锁定理论分析 | 第67-71页 |
| 5.1.2 耦合振荡器理论分析 | 第71-74页 |
| 5.2 核心振荡器设计 | 第74-82页 |
| 5.2.1 交叉耦合振荡器理论分析 | 第76-79页 |
| 5.2.2 交叉耦合振荡器版图设计 | 第79页 |
| 5.2.3 交叉耦合振荡器传输线EM仿真 | 第79-81页 |
| 5.2.4 交叉耦合振荡器联合仿真 | 第81-82页 |
| 5.3 移相电路设计 | 第82-91页 |
| 5.3.1 移相电路分析 | 第82-84页 |
| 5.3.2 片上可变电容 | 第84-87页 |
| 5.3.3 移相器版图设计 | 第87-88页 |
| 5.3.4 移相器传输线设计 | 第88-89页 |
| 5.3.5 移相器电路仿真 | 第89-91页 |
| 5.4 整体电路设计 | 第91-95页 |
| 5.4.1 整体电路版图设计 | 第91-92页 |
| 5.4.2 整体电路联合仿真 | 第92-95页 |
| 5.5 本章小结 | 第95-97页 |
| 第六章 总结与展望 | 第97-99页 |
| 6.1 总结 | 第97页 |
| 6.2 展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-103页 |
| 作者简介 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105页 |