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SiGe BiCMOS超宽带6位数控移相器的研究与设计实现

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-21页
    1.1 研究背景第15-17页
    1.2 移相器的国内外研究现状第17-18页
    1.3 论文研究内容和结构第18-21页
第二章 移相器的原理第21-37页
    2.1 移相器的作用第21-22页
    2.2 移相器的工作原理和主要性能指标第22-27页
        2.2.1 移相器的基本原理第22-25页
        2.2.2 移相器的主要性能指标第25-27页
    2.3 移相器的分类第27-35页
        2.3.1 开关线式移相器第28-29页
        2.3.2 加载线式移相器第29-31页
        2.3.3 高低通式移相器第31-33页
        2.3.4 矢量调制移相器第33-35页
    2.4 小结第35-37页
第三章 有源数控移相器主体电路的设计第37-59页
    3.1 两级输入有源巴伦第37-44页
        3.1.1 第一级巴伦的输入匹配分析第38-40页
        3.1.2 有源电感结构的分析第40-41页
        3.1.3 第一级巴伦的噪声相消技术第41-43页
        3.1.4 第二级巴伦对输出特性的影响第43-44页
    3.2 正交信号发生器第44-51页
        3.2.1 基于L-C谐振的正交全通滤波网络第45-47页
        3.2.2 基于R-C多相滤波网络实现的正交信号发生器第47-51页
    3.3 矢量合成电路的设计第51-55页
        3.3.1 矢量合成电路中模拟加法器模块第51-53页
        3.3.2 矢量合成电路中尾电流模块电路设计第53-55页
    3.4 输出巴伦第55-57页
    3.5 本章小结第57-59页
第四章 数模转换与偏置电路第59-67页
    4.1 数模转换第59-62页
        4.1.1 数模转换电流阵列的设计第59-61页
        4.1.2 数模转换中逻辑编码器的设计第61-62页
    4.2 偏置电路第62-66页
        4.2.1 带隙基准技术原理第62-63页
        4.2.2 带隙基准电路设计第63-66页
    4.3 本章小结第66-67页
第五章 移相器整体电路设计及仿真第67-79页
    5.1 移相器整体电路的设计第67-68页
    5.2 移相器前仿真结果分析第68-71页
        5.2.1 DC仿真第68页
        5.2.2 相位特性仿真第68-69页
        5.2.3 增益特性仿真第69-70页
        5.2.4 反射系数仿真第70-71页
    5.3 版图设计第71-73页
        5.3.1 基本设计规则第71页
        5.3.2 提升版图性能的经验技巧第71-73页
    5.4 移相器整体电路后仿与优化第73-78页
        5.4.1 相位特性第73-74页
        5.4.2 增益特性第74-76页
        5.4.3 反射系数特性第76-78页
    5.5 本章小结第78-79页
第六章 总结与展望第79-81页
    6.1 工作总结第79-80页
    6.2 未来展望第80-81页
参考文献第81-85页
致谢第85-87页
作者简介第87-88页

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