摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
引言 | 第8-9页 |
1 文献综述 | 第9-24页 |
1.1 超疏水现象理论进展 | 第9-17页 |
1.1.1 超疏水表面的判定 | 第10页 |
1.1.2 静态接触角及杨氏方程 | 第10-11页 |
1.1.3 接触角滞后性 | 第11页 |
1.1.4 滚动角理论 | 第11-12页 |
1.1.5 超疏水理论模型 | 第12-14页 |
1.1.6 超疏水表面的构筑方法 | 第14-15页 |
1.1.7 超疏水表面的制备技术 | 第15-16页 |
1.1.8 超疏水表面制备中的问题以及最新发展动态 | 第16-17页 |
1.2 导热高分子的理论概述 | 第17-23页 |
1.2.1 导热聚合物的分类 | 第17-20页 |
1.2.2 填充型复合材料导热率的影响因素 | 第20-21页 |
1.2.3 固体导热率的测试方法 | 第21-23页 |
1.3 本论文研究意义,内容以及创新点 | 第23-24页 |
2 超疏水涂层的制备 | 第24-42页 |
2.1 实验仪器及原料 | 第24-26页 |
2.1.1 实验仪器 | 第24页 |
2.1.2 实验原料 | 第24-25页 |
2.1.3 滴定用溶液的制备 | 第25-26页 |
2.2 测试仪器与条件 | 第26-27页 |
2.2.1 核磁共振谱(1H-NMR) | 第26页 |
2.2.2 傅立叶变换红外光谱(FT-IR) | 第26页 |
2.2.3 分子量(GPC)测试 | 第26页 |
2.2.4 热失重分析(TGA)测试 | 第26页 |
2.2.5 接触角(WCA)测试 | 第26页 |
2.2.6 SEM测试 | 第26-27页 |
2.2.7 耐热性测试 | 第27页 |
2.3 实验步骤 | 第27-31页 |
2.3.1 羟基封端聚硅氧烷的制备 | 第27-28页 |
2.3.2 羟基封端聚硅氧烷的羟基含量测定 | 第28-29页 |
2.3.3 FAS-17修饰纳米二氧化硅(FAS-SiO2) | 第29-30页 |
2.3.4 超疏水涂层的制备 | 第30-31页 |
2.4 结果与讨论 | 第31-41页 |
2.4.1 羟基封端聚硅氧烷的结构表征 | 第31-33页 |
2.4.2 由PDMS-OH羟基含量确定分子量与交联剂加入量 | 第33页 |
2.4.3 硅烷偶联剂FAS-17修饰纳米二氧化硅(FAS-SiO2)的结构表征 | 第33-34页 |
2.4.4 固化与未固化超疏水涂层的红外光谱对比 | 第34-35页 |
2.4.5 使用不同分散工艺制备涂层的对比 | 第35页 |
2.4.6 加入不同含量FAS-SiO2的涂层热失重分析 | 第35-36页 |
2.4.7 超疏水涂层的SEM分析 | 第36-37页 |
2.4.8 超疏水涂层的润湿性分析 | 第37-38页 |
2.4.9 超疏水涂层的固化温度分析 | 第38-39页 |
2.4.10 超疏水涂层的耐热性分析 | 第39-41页 |
2.5 本章小结 | 第41-42页 |
3 聚硅氧烷导热涂层的制备 | 第42-56页 |
3.1 实验仪器及原料 | 第42页 |
3.1.1 实验仪器 | 第42页 |
3.1.2 实验原料 | 第42页 |
3.2 测试仪器与条件 | 第42-43页 |
3.2.1 核磁共振谱(1H-NMR) | 第42页 |
3.2.2 傅立叶变换红外光谱(FT-IR) | 第42-43页 |
3.2.3 热失重分析(TGA)测试 | 第43页 |
3.2.4 SEM测试 | 第43页 |
3.2.5 导热系数测试 | 第43页 |
3.2.6 涂层耐冲击性测试 | 第43页 |
3.2.7 涂层附着力测试 | 第43页 |
3.3 实验步骤 | 第43-45页 |
3.3.1 羟基封端聚硅氧烷的制备 | 第43页 |
3.3.2 无机填料的修饰 | 第43-44页 |
3.3.3 导热涂层的制备 | 第44-45页 |
3.3.4 导热薄膜的制备 | 第45页 |
3.4 结果与讨论 | 第45-54页 |
3.4.1 羟基封端聚硅氧烷的结构表征 | 第45页 |
3.4.2 KH-550修饰的石墨烯的结构表征 | 第45-47页 |
3.4.3 KH-550修饰的纳米Al2O3的结构表征 | 第47-50页 |
3.4.4 导热涂层的性能表征 | 第50-53页 |
3.4.5 聚硅氧烷掺杂石墨烯涂层的耐冲击性测试 | 第53页 |
3.4.6 聚硅氧烷掺杂石墨烯涂层的附着力测试 | 第53-54页 |
3.5 本章小结 | 第54-56页 |
结论 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-64页 |