摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 TiO_2光催化概述 | 第11-15页 |
1.1.1 TiO_2的晶体结构 | 第11-13页 |
1.1.2 TiO_2的光催化机理 | 第13-14页 |
1.1.3 TiO_2材料的制备方法 | 第14-15页 |
1.2 TiO_2的改性方法 | 第15-17页 |
1.2.1 形貌控制 | 第16页 |
1.2.2 元素掺杂 | 第16页 |
1.2.3 半导体复合 | 第16-17页 |
1.2.4 贵金属沉积 | 第17页 |
1.2.5 表面修饰 | 第17页 |
1.3 微纳结构TiO_2 | 第17-20页 |
1.3.1 微纳结构简介 | 第17-18页 |
1.3.2 微纳结构的主要制备方法 | 第18-19页 |
1.3.3 微纳结构的优点 | 第19-20页 |
1.4 本文研究目的、意义及主要内容 | 第20-21页 |
第二章 微纳结构TiO_2的制备及表征 | 第21-41页 |
2.1 主要实验试剂和仪器 | 第21-22页 |
2.1.1 实验试剂 | 第21页 |
2.1.2 实验仪器 | 第21-22页 |
2.2 催化剂的制备 | 第22页 |
2.3 催化剂的表征 | 第22-24页 |
2.3.1 扫描电镜(SEM) | 第22页 |
2.3.2 X-射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
2.3.3 透射电镜(TEM) | 第23页 |
2.3.4 比表面积分析(BET) | 第23页 |
2.3.5 傅里叶转换红外光谱(FTIR) | 第23页 |
2.3.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第23页 |
2.3.7 紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS) | 第23-24页 |
2.3.8 荧光光谱(PL) | 第24页 |
2.4 样品表征结果与分析 | 第24-40页 |
2.4.1 SEM表征结果分析 | 第24-25页 |
2.4.2 XRD表征结果分析 | 第25-27页 |
2.4.3 TEM表征结果分析 | 第27-29页 |
2.4.4 比表面积和孔结构表征结果分析 | 第29-31页 |
2.4.5 ATR-FTIR表征结果分析 | 第31-33页 |
2.4.6 XPS表征结果分析 | 第33-36页 |
2.4.7 UV-VisDRS表征结果分析 | 第36-37页 |
2.4.8 能带结构分析 | 第37-39页 |
2.4.9 PL表征结果分析 | 第39-40页 |
2.5 本章小结 | 第40-41页 |
第三章 微纳结构TiO_2的光催化降解性能研究 | 第41-51页 |
3.1 光催化性能评价装置及方法 | 第41-43页 |
3.1.1 模拟污染物的选取 | 第41页 |
3.1.2 光催化活性评价装置 | 第41-42页 |
3.1.3 光催化活性评价方法 | 第42-43页 |
3.2 制备条件对样品光催化活性的影响 | 第43-47页 |
3.2.1 溶剂热时间的影响 | 第43-44页 |
3.2.2 焙烧温度的影响 | 第44-45页 |
3.2.3 溶剂热温度的影响 | 第45-46页 |
3.2.4 杂质水的影响 | 第46-47页 |
3.3 苯酚初始浓度对样品光催化活性的影响 | 第47-48页 |
3.4 苯酚降解过程紫外吸收光谱 | 第48-49页 |
3.5 催化剂的重复利用率 | 第49页 |
3.6 本章小结 | 第49-51页 |
第四章 微纳结构TiO_2的表面修饰及其光催化性能 | 第51-73页 |
4.1 主要实验试剂和仪器 | 第51-52页 |
4.1.1 实验试剂 | 第51页 |
4.1.2 实验仪器 | 第51-52页 |
4.2 催化剂的制备 | 第52页 |
4.3 催化剂的表征 | 第52-53页 |
4.4 样品表征结果与分析 | 第53-67页 |
4.4.1 SEM表征结果分析 | 第53-54页 |
4.4.2 XRD表征结果分析 | 第54-56页 |
4.4.3 比表面积和孔结构表征结果分析 | 第56-58页 |
4.4.4 XPS表征结果分析 | 第58-60页 |
4.4.5 ATR-FTIR表征结果分析 | 第60-62页 |
4.4.6 UV-VisDRS表征结果分析 | 第62-64页 |
4.4.7 能带结构分析 | 第64-65页 |
4.4.8 PL表征结果分析 | 第65-67页 |
4.5 光催化活性评价 | 第67-71页 |
4.5.1 光催化活性评价装置 | 第67页 |
4.5.2 可见光催化活性 | 第67-71页 |
4.6 本章小结 | 第71-73页 |
结论 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-84页 |
致谢 | 第84页 |