| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 MoS_2材料结构 | 第8-9页 |
| 1.3 实验上制备单层的二硫化物 | 第9-11页 |
| 1.3.1 微机械剥落法 | 第10-11页 |
| 1.3.2 离子插层剥落法 | 第11页 |
| 1.3.3 液相超声法 | 第11页 |
| 1.3.4 化学气相沉淀法 | 第11页 |
| 1.4 单层 1T-MoS_2材料的相关研究 | 第11-14页 |
| 1.5 本论文的研究目的和研究意义 | 第14-15页 |
| 第二章 计算理论和方法 | 第15-23页 |
| 2.1 密度泛函微扰理论DFPT | 第15-17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-19页 |
| 2.3 声子色散的计算 | 第19-20页 |
| 2.4 VASP&Phonopy声子谱计算步骤 | 第20-23页 |
| 第三章 单层 1T-MoS_2结构稳定性的应力调控 | 第23-34页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 计算参数和模型 | 第23-25页 |
| 3.3 1T-MoS_2在应变条件下的结构变化 | 第25-26页 |
| 3.4 1T-MoS_2在零应变下的声子色散曲线 | 第26-27页 |
| 3.5 1T-MoS_2和 1H-MoS_2在不同应变下的声子色散曲线 | 第27-30页 |
| 3.6 1T-MoS_2在不同应变下的振动态密度 | 第30-32页 |
| 3.7 1T-MoS_2在不同应变下的电子结构 | 第32-33页 |
| 3.8 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 1T-WS_2结构稳定性的应力调控 | 第34-41页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 计算参数与模型 | 第34-35页 |
| 4.3 1T-WS_2在应变条件下的结构变化 | 第35页 |
| 4.4 1T-WS_2和 1H-WS_2在不同应变下的声子色散曲线 | 第35-37页 |
| 4.5 1T-WS_2在不同应变下的振动态密度 | 第37-38页 |
| 4.6 应变下 1T-WS_2电子结构变化 | 第38-39页 |
| 4.7 结论 | 第39-41页 |
| 第五章 结论与展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 感谢 | 第45-46页 |
| 在读期间公开发表论文（著）及科研情况 | 第46页 |
