| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 太赫兹科学技术简介 | 第10页 |
| 1.2 太赫兹动态器件的研究进展 | 第10-11页 |
| 1.3 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT的发展 | 第11-15页 |
| 1.3.1 GaN材料的优势 | 第12-13页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaN HEMT器件国内外现状及存在的问题 | 第13-15页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结与HEMT的器件物理特性研究 | 第17-27页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结的自发极化和压电极化研究 | 第17-18页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT的器件物理特性研究 | 第18-26页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的直流特性 | 第20-24页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaN HEMT器件的频率特性 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT的关键工艺与器件制备 | 第27-41页 |
| 3.1 衬底的选择 | 第27页 |
| 3.2 光刻工艺的研究 | 第27-31页 |
| 3.2.1 光刻工艺的主要流程 | 第28-29页 |
| 3.2.2 各参数对光刻工艺的影响 | 第29-31页 |
| 3.3 ICP刻蚀隔离有源区的研究 | 第31-32页 |
| 3.4 AlGaN/GaN异质结上的欧姆接触 | 第32-37页 |
| 3.4.1 欧姆接触电阻的测量方法 | 第33-34页 |
| 3.4.2 退火条件对欧姆接触电阻的影响 | 第34-36页 |
| 3.4.3 Ti/Al合金比对接触电阻的影响 | 第36-37页 |
| 3.5 AlGaN/GaN HEMT器件的制备与测试 | 第37-40页 |
| 3.5.1 AlGaN/GaN HEMT器件的制备 | 第37-38页 |
| 3.5.2 AlGaN/GaN HEMT器件测试分析 | 第38-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于HEMT的metamaterials太赫兹调制器的研究 | 第41-57页 |
| 4.1 基于metamaterials的太赫兹动态功能器件的设计方法 | 第41-42页 |
| 4.2 Metamaterials单元结构设计与分析 | 第42-48页 |
| 4.2.1 ELC环状谐振结构 | 第43-46页 |
| 4.2.2“工”型谐振结构 | 第46-48页 |
| 4.3 基于HEMT的metamaterials太赫兹调制器的设计与制备 | 第48-56页 |
| 4.3.1 工作原理与结构优化 | 第48-52页 |
| 4.3.2 器件制备 | 第52-53页 |
| 4.3.3 调制性能测试 | 第53-56页 |
| 4.3.3.1 调制器静态测试 | 第53-54页 |
| 4.3.3.2 调制器动态测试 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 论文总结 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64-65页 |
