首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

CMOS上变频混频器

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6页
1 绪论第9-15页
    1.1 研究背景及意义第9-10页
    1.2 混频器的研究现状第10-12页
    1.3 本文主要工作及结构安排第12-15页
        1.3.1 本文主要工作第12-13页
        1.3.2 章节安排第13-15页
2 混频器基本理论第15-27页
    2.1 混频器基本原理第15-16页
    2.2 混频器性能参数第16-27页
        2.2.1 线性度第16-22页
        2.2.2 转换增益第22页
        2.2.3 噪声系数第22-25页
        2.2.4 隔离度第25-27页
3 混频器结构第27-37页
    3.1 单端混频器第27-28页
    3.2 单平衡混频器第28-31页
    3.3 双平衡混频器第31-33页
    3.4 双平衡混频器优化第33-37页
        3.4.1 PMOS管电流注入技术第33-35页
        3.4.2 负反馈第35-37页
4 CMOS上变频混频器的电路设计第37-49页
    4.1 研究目标第37页
    4.2 谐波抑制混频器主结构第37-42页
    4.3 电流源偏置级电路第42-44页
    4.4 开关级和跨导级结构第44-46页
        4.4.1 开关级结构第44-46页
        4.4.2 跨导级结构第46页
    4.5 负载输出级结构第46-47页
    4.6 增益可调谐结构第47-49页
5 CMOS上变频混频器的版图设计第49-53页
    5.1 模拟版图设计要点第49-51页
        5.1.1 寄生电容和寄生电阻第49-50页
        5.1.2 失配第50-51页
    5.2 CMOS上变频混频器的版图结构第51-53页
6 CMOS上变频混频器的指标优化分析与后仿真第53-61页
    6.1 仿真参数设置第53-54页
    6.2 转换增益指标的优化分析与后仿真第54-58页
        6.2.1 转换增益的优化分析第54页
        6.2.2 转换增益的后仿真第54-58页
    6.3 线性度指标的优化分析与后仿真第58-59页
        6.3.1 线性度的优化分析第58页
        6.3.2 线性度的后仿真第58-59页
    6.4 噪声系数的指标的优化分析与后仿真第59-60页
        6.4.1 噪声系数的优化分析第59页
        6.4.2 噪声系数的后仿真第59-60页
    6.5 低频段谐波抑制的优化分析和后仿真第60-61页
        6.5.1 谐波抑制的优化分析第60页
        6.5.2 谐波抑制的后仿真第60-61页
7 总结和展望第61-63页
    7.1 本文总结第61页
    7.2 未来展望第61-63页
参考文献第63-68页
作者简历第68页

论文共68页,点击 下载论文
上一篇:辽中社区太极拳开展的现状与对策研究
下一篇:用于北斗一代发射机的功率放大器设计