| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 肖特基梁式引线二极管概述 | 第11-14页 |
| 1.2 肖特基梁式引线二极管的国内外动态 | 第14-15页 |
| 1.3 论文研究内容及组织结构 | 第15-16页 |
| 第二章 SILVACO TCAD软件简介 | 第16-29页 |
| 2.1 SILVACO TCAD软件的特点 | 第16-17页 |
| 2.1.1 数值计算 | 第16页 |
| 2.1.2 基于物理的计算 | 第16-17页 |
| 2.2 SILVACO TCAD软件的功能 | 第17页 |
| 2.3 SILVACO TCAD软件的主要组件 | 第17-28页 |
| 2.3.1 DeckBuild | 第18-20页 |
| 2.3.2 可视化工具TonyPlot | 第20-21页 |
| 2.3.3 工艺仿真系统ATHENA | 第21-22页 |
| 2.3.4 器件仿真系统ATLAS | 第22-28页 |
| 2.3.5 DevEdit结构和Mesh编辑器 | 第28页 |
| 2.3.6 掩膜输出编辑器 | 第28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 梁式引线二极管简介 | 第29-31页 |
| 3.1 肖特基梁式引线二极管的结构 | 第29-30页 |
| 3.2 梁式引线二极管的特点 | 第30页 |
| 3.3 梁式引线二极管使用注意事项 | 第30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 肖特基梁式引线二极管设计与仿真 | 第31-51页 |
| 4.1 梁式引线二极管的材料的选用 | 第31-32页 |
| 4.2 梁式引线二极管的电参数优化设计 | 第32-38页 |
| 4.2.1 正向导通电压 | 第32-34页 |
| 4.2.2 电容设计 | 第34-35页 |
| 4.2.3 噪声系数NF | 第35-36页 |
| 4.2.4 反向击穿电压 | 第36-37页 |
| 4.2.5 串联电阻 | 第37-38页 |
| 4.3 SILVACO软件设计及工艺仿真 | 第38-46页 |
| 4.3.1 Atlas器件仿真 | 第38-42页 |
| 4.3.2 基于Silvaco-TCAD沉积氧化层仿真研究 | 第42-44页 |
| 4.3.3 基于Silvaco-TCAD刻蚀仿真研究 | 第44-45页 |
| 4.3.4 基于Silvaco-TCAD金属淀积 | 第45-46页 |
| 4.4 梁式引线二极管的可靠性水平 | 第46-50页 |
| 4.4.1 可靠性分析 | 第46-49页 |
| 4.4.2 可靠性设计 | 第49-50页 |
| 4.4.3 可靠性水平 | 第50页 |
| 4.5 标准和通用化 | 第50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 肖特基梁式引线二极管工艺设计 | 第51-64页 |
| 5.1 梁式引线二极管的通用工艺 | 第51-52页 |
| 5.2 梁式引线二极管金属“梁”的分析与设计 | 第52-53页 |
| 5.3 梁式引线二极管的表面钝化分析 | 第53-54页 |
| 5.4 梁式引线二极管的工艺流程 | 第54-63页 |
| 5.4.1 背面减薄 | 第54页 |
| 5.4.2 硅片清洗 | 第54-55页 |
| 5.4.3 快速生长SiO_2 | 第55-56页 |
| 5.4.4 一次光刻（双面光刻） | 第56-57页 |
| 5.4.5 刻蚀硅外延层 | 第57页 |
| 5.4.6 二次光刻+刻蚀 | 第57-58页 |
| 5.4.7 生长复合膜 | 第58-60页 |
| 5.4.8 三次光刻 | 第60页 |
| 5.4.9 蒸发Ni合金 | 第60-61页 |
| 5.4.10 淀积金属膜+镀金 | 第61-62页 |
| 5.4.11 四次光刻 | 第62页 |
| 5.4.12 五次光刻（背面光刻） | 第62-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 梁式引线二极管的工艺实现 | 第64-76页 |
| 6.1 硅片清洗 | 第64-66页 |
| 6.1.1 化学清洗的重要性 | 第64页 |
| 6.1.2 不同杂质对器件的影响 | 第64-65页 |
| 6.1.3 硅片表面沾污杂质的类型 | 第65-66页 |
| 6.1.4 硅片清洗的流程 | 第66页 |
| 6.2 低温生长SIO2工艺 | 第66-69页 |
| 6.2.1 SiO_2的性质 | 第66-67页 |
| 6.2.2 SiO_2在器件生产中的作用 | 第67-68页 |
| 6.2.3 表面态控制技术 | 第68-69页 |
| 6.3 光刻 | 第69-74页 |
| 6.3.1 光刻流程 | 第69-74页 |
| 6.3.2 光刻质量检查 | 第74页 |
| 6.3.3 光刻套刻 | 第74页 |
| 6.4 多层金属化技术 | 第74-75页 |
| 6.4.1 电子束蒸发 | 第74页 |
| 6.4.2 溅射 | 第74-75页 |
| 6.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第七章 测试分析及可靠性验证 | 第76-78页 |
| 7.1 电参数测试及分析 | 第76-77页 |
| 7.2 可靠性验证 | 第77-78页 |
| 第八章 结论 | 第78-80页 |
| 8.1 本文的主要贡献 | 第78页 |
| 8.2 下一步工作的展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |