| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 磁电子学简介 | 第9页 |
| 1.2 磁电阻效应综述 | 第9-13页 |
| 1.2.1 磁电阻效应简史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 巨磁电阻效应的理论解释 | 第10-13页 |
| 1.3 自旋阀结构 | 第13-15页 |
| 1.3.1 自旋阀结构简介 | 第13页 |
| 1.3.2 自旋阀原理简介 | 第13-15页 |
| 1.4 巨磁电阻效应的应用 | 第15-17页 |
| 1.4.1 磁电阻磁头 | 第15页 |
| 1.4.2 磁电阻传感器 | 第15-16页 |
| 1.4.3 磁随机存储器(MRAM) | 第16-17页 |
| 1.5 GMR传感器的研究进展与应用前景 | 第17-18页 |
| 1.5.1 GMR传感器的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.5.2 GMR传感器的应用前景 | 第18页 |
| 1.6 论文的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 自旋阀薄膜材料的制备和测量 | 第20-26页 |
| 2.1 自旋阀薄膜的制备 | 第20-22页 |
| 2.2 测试方法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 磁性参数测试 | 第22-23页 |
| 2.2.2 自旋阀薄膜巨磁电阻测试 | 第23-26页 |
| 第三章 具有90度自偏置的自旋阀传感单元研究 | 第26-43页 |
| 3.1 传感单元结构要求 | 第26-28页 |
| 3.2 90度自偏置复合自由层研究 | 第28-37页 |
| 3.2.1 NiFe(5nm)/IrMn(t)/NiFe(8nm)结构研究 | 第29页 |
| 3.2.2 NiFe(5nm)/IrMn(t)/NiFe(8nm)/IrMn(15nm)结构研究 | 第29-31页 |
| 3.2.3 IrMn(15nm)/NiFe(8nm)/IrMn(1.5nm)/NiFe(5nm)结构研究 | 第31页 |
| 3.2.4 底钉扎结构交换偏置场的优化 | 第31-35页 |
| 3.2.4.1 IrMn/NiFe薄膜的钉扎效应研究 | 第32-33页 |
| 3.2.4.2 Ta(4nm)/NiFe(5nm)/IrMn(15nm)/NiFe(t)结构研究 | 第33-34页 |
| 3.2.4.3 Cu(t)/IrMn(15nm)/NiFe(7nm)交换偏置效应研究 | 第34-35页 |
| 3.2.5 底钉扎结构90度自偏置自由层 | 第35-36页 |
| 3.2.6 插入层Cu对复合自由层的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 90度自偏置自旋阀研究 | 第37-39页 |
| 3.4 非零偏置点的优化 | 第39-41页 |
| 3.4.1 隔离层厚度对非零偏置点的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.2 人工反铁磁层对非零偏置点的影响 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 巨磁阻传感器的加工和测试研究 | 第43-58页 |
| 4.1 自旋阀薄膜磁阻单元条传感器 | 第43-48页 |
| 4.1.1 自旋阀薄膜磁阻单元条传感器工作原理 | 第43-44页 |
| 4.1.2 自旋阀薄膜磁阻单元条传感器的性能参数 | 第44页 |
| 4.1.3 自旋阀薄膜磁阻单元条传感器的设计 | 第44-45页 |
| 4.1.4 自旋阀薄膜磁阻单元条制作工艺 | 第45-47页 |
| 4.1.5 自旋阀薄膜单元传感器的测试 | 第47-48页 |
| 4.2 自旋阀线性传感器的研究 | 第48-56页 |
| 4.2.1 自旋阀线性传感器的工作原理 | 第48-49页 |
| 4.2.2 自旋阀线性传感器的性能指标 | 第49页 |
| 4.2.3 单条线性电阻对自旋阀线性电桥传感器影响 | 第49-50页 |
| 4.2.4 自旋阀线性传感器版图设计 | 第50页 |
| 4.2.5 自旋阀线性传感器工艺流程 | 第50-54页 |
| 4.2.6 自旋阀线性传感器的测量 | 第54-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
