| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪言 | 第9-14页 |
| 1.1 BCD 工艺简介 | 第9-10页 |
| 1.2 DMOS 简介 | 第10-13页 |
| 1.3 本论文的工作内容 | 第13页 |
| 1.4 各章节的内容简介 | 第13-14页 |
| 第二章 BCD 技术和 LDMOS 的 Resurf 技术简介 | 第14-27页 |
| 2.1 BCD 技术分类 | 第14-19页 |
| 2.1.1 BCD1(第一代BCD 工艺) | 第14-16页 |
| 2.1.2 高压BCD | 第16页 |
| 2.1.3 SOIBCD | 第16-17页 |
| 2.1.4 高功率BCD | 第17页 |
| 2.1.5 高密度BCD | 第17-19页 |
| 2.1.6 RF-BCD | 第19页 |
| 2.2 LDMOS 中的Resurf 技术 | 第19-26页 |
| 2.2.1 薄N 外延层 | 第21页 |
| 2.2.2 场限环（Field Limiting Ring） | 第21-24页 |
| 2.2.3 阶梯场极板和斜场极板 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 Silvaco TCAD 软件介绍 | 第27-36页 |
| 3.1 Deckbuild | 第29页 |
| 3.2 Optimizer | 第29-30页 |
| 3.3 Athena | 第30-32页 |
| 3.4 Devedit | 第32-33页 |
| 3.5 Atlas | 第33-34页 |
| 3.6 VWF | 第34-35页 |
| 3.7 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 LDMOS 结构及其 TCAD 内的制造过程 | 第36-53页 |
| 4.1 TCAD 模拟流程 | 第36页 |
| 4.2 本文所研究的 LDMOS 的结构 | 第36-37页 |
| 4.3 TCAD 内制作LDMOS 的工艺流程 | 第37-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 通过TCAD 仿真观察各个参数对击穿电压的影响 | 第53-72页 |
| 5.1 外延层厚度及外延层掺杂浓度的影响 | 第53-63页 |
| 5.2 场限环对器件击穿电压的影响 | 第63-65页 |
| 5.3 斜场板和带有阶梯的场板 | 第65-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第76-78页 |
