| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 本文背景及研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 晶体弱吸收测试的基本原理 | 第10-13页 |
| 1.2.1 弱吸收测试的意义 | 第10-11页 |
| 1.2.2 光热偏转法 | 第11-12页 |
| 1.2.3 表面热透镜法 | 第12-13页 |
| 1.3 本课题的研究方向 | 第13-14页 |
| 第二章 YVO_4晶体的生长方法 | 第14-31页 |
| 2.1 YVO_4晶体生长方法：提拉法的基本原理 | 第14页 |
| 2.2 YVO_4晶体生长过程 | 第14-23页 |
| 2.2.1 提拉法生长的YVO_4晶体提拉炉装置 | 第14-15页 |
| 2.2.2 YVO_4晶体原料的制备 | 第15-16页 |
| 2.2.3 YVO_4晶体生长 | 第16-23页 |
| 2.3 提拉法生长中的重要参数 | 第23-29页 |
| 2.3.1 结晶驱动力 | 第23页 |
| 2.3.2 生长系统中的传质 | 第23-25页 |
| 2.3.3 生长系统中的传热 | 第25-27页 |
| 2.3.4 生长界面的稳定性 | 第27-28页 |
| 2.3.5 界面形状 | 第28-29页 |
| 2.4 YVO_4晶体弱吸收测试前的加工 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 弱吸收仪介绍及测试方法 | 第31-42页 |
| 3.1 弱吸收仪研发公司介绍 | 第31页 |
| 3.2 PCI-02 弱吸收仪的测试原理 | 第31-34页 |
| 3.3 PCI-02 弱吸收仪的结构 | 第34-35页 |
| 3.4 PCI-02 弱吸收仪的主要测试参数及重要指标 | 第35-36页 |
| 3.4.1 PCI-02 弱吸收仪的主要测试参数 | 第35页 |
| 3.4.2 PCI-02 弱吸收仪重要指标-AC/DC | 第35-36页 |
| 3.5 PCI-02 弱吸收仪的测试方法 | 第36-40页 |
| 3.5.1 PCI-02 弱吸收仪吸收扫描过程 | 第36-37页 |
| 3.5.2 PCI-02 弱吸收仪开机操作方法 | 第37-39页 |
| 3.5.3 PCI-02 弱吸收仪吸收校准操作方法 | 第39页 |
| 3.5.4 PCI-02 弱吸收仪吸收测试操作方法 | 第39-40页 |
| 3.6 PCI-02 弱吸收仪测试举例 | 第40-41页 |
| 3.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 YVO_4晶体生长过程中弱吸收影响因素分析 | 第42-49页 |
| 4.1 YVO_4晶体生长过程中的缺陷 | 第42页 |
| 4.2 YVO_4晶体生长因素对 1064nm弱吸收影响分析 | 第42-44页 |
| 4.2.1 YVO_4晶体散射及包裹物对 1064nm弱吸收影响分析 | 第42-43页 |
| 4.2.2 YVO_4晶体色泽对 1064nm弱吸收影响分析 | 第43-44页 |
| 4.3 YVO_4晶体 1064nm弱吸收改善实验 | 第44-48页 |
| 4.3.1 YVO_4晶体颜色变化模拟实验 | 第44-46页 |
| 4.3.2 YVO_4晶体真空充氧退火对 1064nm吸收的改善 | 第46页 |
| 4.3.3 YVO_4晶体炉外退火设计实验 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
