| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 霍尔磁传感器研究现状 | 第10-23页 |
| 1.1.1 一维霍尔磁传感器研究现状 | 第10-14页 |
| 1.1.2 二维霍尔磁传感器研究现状 | 第14-18页 |
| 1.1.3 三维霍尔磁传感器研究现状 | 第18-23页 |
| 1.2 基于SOI霍尔磁传感器研究现状 | 第23-27页 |
| 1.3 SOI霍尔磁传感器研究目的和研究意义 | 第27页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第27页 |
| 1.3.2 研究意义 | 第27页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 基于SOI霍尔磁传感器基本结构与工作原理 | 第29-36页 |
| 2.1 基于SOI霍尔磁传感器基本结构 | 第29-30页 |
| 2.2 基于SOI霍尔磁传感器工作原理 | 第30-35页 |
| 2.2.1 霍尔效应 | 第30-33页 |
| 2.2.2 基于SOI霍尔磁传感器工作原理 | 第33-34页 |
| 2.2.3 串联霍尔输出端SOI霍尔磁传感器工作原理 | 第34-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 基于SOI霍尔磁传感器特性仿真 | 第36-43页 |
| 3.1 ATLAS器件仿真系统 | 第36页 |
| 3.2 衬底对霍尔磁传感器特性影响 | 第36-40页 |
| 3.2.1 仿真模型构建 | 第36-37页 |
| 3.2.2 载流子浓度分布 | 第37-38页 |
| 3.2.3 磁特性 | 第38-39页 |
| 3.2.4 温度特性 | 第39-40页 |
| 3.3 基于SOI霍尔磁传感器特性 | 第40-42页 |
| 3.3.1 SOI霍尔磁传感器磁特性 | 第40-41页 |
| 3.3.2 SOI霍尔磁传感器温度特性 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 基于SOI霍尔磁传感器芯片设计、制作与封装 | 第43-49页 |
| 4.1 基于SOI霍尔磁传感器芯片设计 | 第43-46页 |
| 4.1.1 SOI霍尔磁传感器结构设计 | 第43-44页 |
| 4.1.2 SOI霍尔磁传感器版图设计 | 第44-46页 |
| 4.2 基于SOI霍尔磁传感器芯片制作工艺 | 第46-47页 |
| 4.3 基于SOI霍尔磁传感器芯片封装 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 实验结果与讨论 | 第49-76页 |
| 5.1 基于SOI霍尔磁传感器磁特性 | 第49-68页 |
| 5.1.1 磁传感器测试系统 | 第49-50页 |
| 5.1.2 磁敏感层宽长比对磁特性的影响 | 第50-53页 |
| 5.1.3 霍尔输出端形状对磁特性的影响 | 第53-56页 |
| 5.1.4 霍尔输出端宽度对磁特性影响 | 第56-60页 |
| 5.1.5 霍尔输出端串联对磁特性影响 | 第60-68页 |
| 5.2 基于SOI霍尔磁传感器温度特性 | 第68-70页 |
| 5.2.1 温度特性测试实验系统 | 第68页 |
| 5.2.2 磁传感器温度特性 | 第68-70页 |
| 5.3 基于SOI霍尔磁传感器静态特性 | 第70-74页 |
| 5.3.1 线性度 | 第70-72页 |
| 5.3.2 重复性 | 第72-73页 |
| 5.3.3 迟滞 | 第73页 |
| 5.3.4 准确度 | 第73-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第84页 |