| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 TiO_2材料介绍 | 第10-13页 |
| 1.1.1 TiO_2的结构和性质 | 第10-11页 |
| 1.1.2 TiO_2薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.1.3 TiO_2气体传感器的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2 金属氧化物半导体传感器 | 第13-19页 |
| 1.2.1 金属氧化物半导体传感器简介 | 第13-14页 |
| 1.2.2 金属氧化物氢气传感器检测机制 | 第14-16页 |
| 1.2.3 金属氧化物传感器气敏性能影响因素 | 第16-18页 |
| 1.2.4 金属氧化物氢气传感器存在的问题及发展方向 | 第18-19页 |
| 1.3 本课题研究的主要内容 | 第19-21页 |
| 1.3.1 TiO_2薄膜气体传感器的制备及改性 | 第19页 |
| 1.3.2 TiO_2薄膜气体传感器检测机制探索 | 第19-21页 |
| 第二章 射频磁控溅射法制备TiO_2籽晶层 | 第21-27页 |
| 2.1 射频磁控溅射装置原理 | 第21-22页 |
| 2.2 射频磁控溅射法制备TiO_2籽晶层实验过程 | 第22-25页 |
| 2.2.1 实验流程 | 第22-23页 |
| 2.2.2 主要表征与测试方法 | 第23-24页 |
| 2.2.3 FTO衬底清洗 | 第24-25页 |
| 2.2.4 制备TiO_2籽晶层 | 第25页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 水热法制备TiO_2薄膜 | 第27-34页 |
| 3.1 水热法简介 | 第27页 |
| 3.2 实验试剂及设备 | 第27-28页 |
| 3.3 主要表征与测试方法 | 第28-29页 |
| 3.4 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.4.1 实验流程 | 第29页 |
| 3.4.2 水热法制备TiO_2薄膜步骤 | 第29-30页 |
| 3.5 实验结果与讨论 | 第30-33页 |
| 3.5.1 TiO_2薄膜表征 | 第30-32页 |
| 3.5.2 薄膜生长机理探讨 | 第32-33页 |
| 3.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 TiO_2薄膜气敏性能检测 | 第34-48页 |
| 4.1 表征H_2气敏性能的参数 | 第34-36页 |
| 4.1.1 灵敏度 | 第34页 |
| 4.1.2 响应时间和回复时间 | 第34-35页 |
| 4.1.3 最低探测浓度 | 第35页 |
| 4.1.4 工作温度 | 第35页 |
| 4.1.5 稳定性 | 第35-36页 |
| 4.2 气敏元件的组装和测试 | 第36页 |
| 4.2.1 传感器电极的制作 | 第36页 |
| 4.2.2 气敏性能测试 | 第36页 |
| 4.3 测量结果与讨论 | 第36-46页 |
| 4.3.1 室温下籽晶层对TiO_2薄膜气敏元件性能影响 | 第36-38页 |
| 4.3.2 退火对TiO_2薄膜气敏元件性能影响 | 第38-39页 |
| 4.3.3 TiO_2薄膜氢气传感器在100℃下的性能 | 第39-40页 |
| 4.3.4 TiO_2薄膜氢气传感器的气敏检测机制分析 | 第40-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 总结 | 第48-50页 |
| 5.1 主要结论 | 第48-49页 |
| 5.2 本论文主要创新点 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
