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非易失性存储介质的性能、能耗和寿命优化研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-24页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 研究背景第11-15页
        1.2.1 相变存储器第11-13页
        1.2.2 自旋转移力矩随机存取存储器第13-14页
        1.2.3 非易失性存储系统结构第14-15页
    1.3 国内外相关研究工作第15-19页
        1.3.1 非易失性存储器的写延迟问题第16-17页
        1.3.2 非易失性存储器的写能耗问题第17-18页
        1.3.3 非易失性存储器的寿命问题第18-19页
    1.4 研究目标和内容第19-20页
    1.5 论文主要贡献第20-22页
    1.6 论文组织结构第22-24页
2 相变存储器基于凸函数特性的写能耗优化技术第24-46页
    2.1 引言第24-26页
    2.2 模型介绍和问题定义第26-32页
        2.2.1 相变存储器充电模型第26-28页
        2.2.2 PCM能耗优化问题定义第28-30页
        2.2.3 PTA写能耗优化NP难问题证明第30-32页
    2.3 实例分析第32-34页
    2.4 基于凸函数特性的优化技术第34-38页
        2.4.1 PTA写机制基于整数规划的算法第34-35页
        2.4.2 PTA写机制基于贪心算法的划分策略第35-37页
        2.4.3 PCM芯片电路的改进第37-38页
    2.5 实验及分析第38-44页
        2.5.1 实验方法和配置第38-40页
        2.5.2 实验结果分析第40-44页
    2.6 本章小结第44-46页
3 多层单元相变存储器的写吞吐量优化技术第46-60页
    3.1 引言第46-47页
    3.2 研究背景和研究动机第47-49页
        3.2.1 多层单元相变存储器写机制第47-48页
        3.2.2 研究动机第48-49页
    3.3 写单元重组优化技术第49-56页
        3.3.1 问题定义第49-50页
        3.3.2 问题最优解证明第50-51页
        3.3.3 重组写机制的实现第51-56页
    3.4 实验及分析第56-59页
        3.4.1 实验配置第56-57页
        3.4.2 实验结果与分析第57-59页
    3.5 本章小结第59-60页
4 多层单元STT-RAM的两步写减少优化技术第60-76页
    4.1 引言第60-62页
    4.2 研究背景与研究动机第62-66页
        4.2.1 多层单元STT-RAM读写机制第62-64页
        4.2.2 两步写问题第64-66页
    4.3 两步写减少优化技术第66-69页
        4.3.1 概述第66-68页
        4.3.2 例子展示第68-69页
        4.3.3 硬件实现第69页
    4.4 实验及分析第69-73页
        4.4.1 实验方法和配置第69-71页
        4.4.2 实验结果与分析第71-73页
    4.5 本章小结第73-76页
5 非易失性存储介质磨损程度的精确记录技术第76-90页
    5.1 引言第76-77页
    5.2 模型介绍和研究动机第77-79页
        5.2.1 磨损程度定义第77-78页
        5.2.2 研究动机第78-79页
    5.3 非易失性存储介质磨损程度的精确记录技术第79-84页
        5.3.1 总体设计第79-81页
        5.3.2 精确度分析第81-83页
        5.3.3 计数器可靠性分析第83页
        5.3.4 本技术运用到磨损技术方法中第83-84页
    5.4 实验及分析第84-89页
        5.4.1 实验配置第84-87页
        5.4.2 实验结果分析第87-89页
    5.5 本章小结第89-90页
6 总结与展望第90-92页
致谢第92-94页
参考文献第94-104页
附录第104-105页
    A. 攻读博士学位期间的主要研究成果第104页
    B. 攻读博士学位期间参加的主要科研项目第104-105页

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