| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 全文图目录 | 第9-11页 |
| 全文表目录 | 第11-14页 |
| 第一章 研究意义及国际现状 | 第14-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第14-16页 |
| 1.2 立题理论依据 | 第16-20页 |
| 1.3 研究目标及研究内容 | 第20-22页 |
| 1.4 研究方法、设计及试验方案 | 第22-23页 |
| 第二章 晶体硅电池理论基础介绍 | 第23-39页 |
| 2.1 太阳电池的分类 | 第23-24页 |
| 2.2 太阳电池的性能参数 | 第24页 |
| 2.3 硅材料体复合 | 第24-27页 |
| 2.3.1 辐射复合 | 第25-26页 |
| 2.3.2 俄歇复合 | 第26页 |
| 2.3.3 Shockley-Read-Hall(SRH)复合 | 第26-27页 |
| 2.4 晶体硅电池扩散相关理论 | 第27-30页 |
| 2.4.1 扩散的机制 | 第27-28页 |
| 2.4.2 影响 PN 结质量的因素 | 第28-30页 |
| 2.4.3 PN 结扩散主要方式 | 第30页 |
| 2.5 发射结/基区饱和电流的决定因素 | 第30-33页 |
| 2.6 晶体硅电池测试原理及方法 | 第33-38页 |
| 2.6.1 少子寿命测试 | 第34-37页 |
| 2.6.2 反射率及量子效率测试 | 第37-38页 |
| 2.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 单晶体硅太阳电池常规生产工艺 | 第39-47页 |
| 3.1 清洗制绒 | 第40-41页 |
| 3.2 扩散制作 P-N 结 | 第41-43页 |
| 3.3 刻蚀去边结 | 第43-44页 |
| 3.4 去除磷硅玻璃（PSG） | 第44页 |
| 3.5 PECVD 沉积氮化硅减反射膜 | 第44-46页 |
| 3.6 电极栅线及烧结 | 第46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 高方阻密栅线晶体硅电池实验部分 | 第47-70页 |
| 4.1 影响高方阻密栅电池性能的因素 | 第47-50页 |
| 4.1.1 晶体硅电池 Voc 的影响因素 | 第48页 |
| 4.1.2 晶体硅电池 Isc 的影响因素 | 第48页 |
| 4.1.3 晶体硅电池 FF 的影响因素 | 第48-49页 |
| 4.1.4 影响 Rs 的主要因素 | 第49页 |
| 4.1.5 影响 Rsh 的主要因素 | 第49-50页 |
| 4.1.6 PN 结结深的影响因素 | 第50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-68页 |
| 4.2.1 电池方阻栅线匹配性试验 | 第51-55页 |
| 4.2.2 表面钝化对电池性能的影响 | 第55-59页 |
| 4.2.3 68 栅线下发射结方阻的优化 | 第59-61页 |
| 4.2.4 不同浆料对电池性能的影响 | 第61-64页 |
| 4.2.5 烧结温度对电池性能的影响 | 第64-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 全文总结及后续工作 | 第70-72页 |
| 5.1 全文总结及创新点 | 第70-71页 |
| 5.2 后续研究工作 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文或专利 | 第73-74页 |
| 全文参考文献 | 第74-79页 |