| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 自旋电子学与稀磁半导体 | 第10-13页 |
| 1.1.1 自旋电子学 | 第10-11页 |
| 1.1.2 稀磁半导体 | 第11-13页 |
| 1.2 氧化物稀磁半导体 | 第13页 |
| 1.3 氧化物稀磁半导体磁性起源 | 第13-18页 |
| 1.3.1 非本征起因 | 第14-15页 |
| 1.3.2 稀磁半导体磁性本征起因 | 第15-18页 |
| 1.4 TIO_2基稀磁半导体 | 第18-20页 |
| 1.4.1 TiO_2简介 | 第18-19页 |
| 1.4.2 TiO_2基稀磁半导体的研究 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文研究内容及目的 | 第20-22页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5.2 研究目的 | 第21-22页 |
| 第2章 薄膜的制备以及表征方法 | 第22-29页 |
| 2.1 PLD 简介 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜的表征方法 | 第24-29页 |
| 2.3.1 X 射线衍射 | 第24-25页 |
| 2.3.2 X 射线光电子能谱 | 第25-26页 |
| 2.3.3 磁学性质测量 | 第26-27页 |
| 2.3.4 霍尔效应测量 | 第27-28页 |
| 2.3.5 电阻测试 | 第28-29页 |
| 第3章 高氧分压下生长 AL: TIO_2薄膜的磁性 | 第29-47页 |
| 3.1 AL 掺杂对薄膜磁性的影响 | 第29-37页 |
| 3.1.1 结构分析 | 第29-30页 |
| 3.1.2 薄膜成分分析 | 第30-34页 |
| 3.1.3 磁性质测量分析 | 第34-37页 |
| 3.2 氧空位对磁性的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 磁性起源的探讨 | 第39-42页 |
| 3.4 基于束缚极化子理论的第一性原理计算 | 第42-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 真空下生长 AL:TIO_2磁性研究 | 第47-60页 |
| 4.1 AL 掺杂对薄膜磁性质的影响 | 第47-56页 |
| 4.1.1 样品的表征 | 第47-49页 |
| 4.1.2 磁性及电输运性质的测量分析 | 第49-54页 |
| 4.1.3 磁性来源分析 | 第54-56页 |
| 4.2 生长温度对 AL:TIO_2磁性的影响 | 第56-59页 |
| 4.2.1 XRD 测试分析 | 第57页 |
| 4.2.2 电学及磁学性质测试分析 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |