| 学位论文数据集 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 CaF_2晶体的性能 | 第14-15页 |
| 1.2 CaF_2晶体的应用 | 第15-16页 |
| 1.3 CaF_2原料的纯化处理 | 第16-18页 |
| 1.4 CaF_2晶体生长方法 | 第18-22页 |
| 1.4.1 温度梯度法 | 第19页 |
| 1.4.2 提拉法 | 第19-20页 |
| 1.4.3 平板生长法 | 第20-21页 |
| 1.4.4 坩埚下降法 | 第21-22页 |
| 1.5 晶体生长的影响因素 | 第22-23页 |
| 1.6 温度场设计 | 第23页 |
| 1.7 FLUENT软件简述 | 第23-25页 |
| 1.8 Bridgman法晶体生长数值模拟研究进展 | 第25-27页 |
| 1.9 本文主要研究目的、内容和意义 | 第27-30页 |
| 第二章 坩埚下降法物理及数学模型 | 第30-40页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 物理模型及相关假设 | 第30-32页 |
| 2.3 数学模型及相关假设 | 第32-35页 |
| 2.3.1 对流流动和热传导模型 | 第32-33页 |
| 2.3.2 辐射模型 | 第33-34页 |
| 2.3.3 相变模型 | 第34-35页 |
| 2.4 边界条件 | 第35-36页 |
| 2.5 FLUENT建模 | 第36-40页 |
| 2.5.1 模型建立和网格划分 | 第36-37页 |
| 2.5.2 计算模型 | 第37-40页 |
| 第三章 模拟计算结果与分析 | 第40-62页 |
| 3.1 熔体流动对晶体生长的影响 | 第40-47页 |
| 3.1.1 不同坩埚下降速度下的流函数分布 | 第40-42页 |
| 3.1.2 不同梯度区长度下的流函数分布 | 第42-44页 |
| 3.1.3 不同凝固分数下的流函数分布 | 第44-47页 |
| 3.2 温度分布对CaF_2晶体生长的影响 | 第47-56页 |
| 3.2.1 不同凝固分数下的温度场分布 | 第47-49页 |
| 3.2.2 高温区温度梯度对温度分布和温度梯度的影响 | 第49-51页 |
| 3.2.3 梯度区温度梯度对温度分布和温度梯度的影响 | 第51-54页 |
| 3.2.4 低温区温度梯度对温度分布和温度梯度的影响 | 第54-56页 |
| 3.3 CaF_2晶体生长参数对晶体生长的影响 | 第56-61页 |
| 3.3.1 温度梯度对界面的影响 | 第56-58页 |
| 3.3.2 不同凝固分数对界面凸度的影响 | 第58-59页 |
| 3.3.3 晶体生长过程中生长速度的变化 | 第59-60页 |
| 3.3.4 温度梯度区长度对界面凸度的影响 | 第60-61页 |
| 3.4 结论 | 第61-62页 |
| 第四章 坩埚下降法生长CaF_2晶体的实验研究 | 第62-78页 |
| 4.1 CaF_2原料纯化 | 第62-65页 |
| 4.1.1 引言 | 第62页 |
| 4.1.2 实验过程 | 第62-64页 |
| 4.1.3 结果分析 | 第64-65页 |
| 4.2 CaF_2晶体生长 | 第65-68页 |
| 4.2.1 晶体生长装置 | 第65-67页 |
| 4.2.2 晶体生长 | 第67-68页 |
| 4.3 晶体生长的影响因素 | 第68-72页 |
| 4.3.1 不同的氟化铅添加量 | 第68-70页 |
| 4.3.2 不同的降温速度 | 第70-71页 |
| 4.3.3 不同的坩埚下降速度 | 第71-72页 |
| 4.4 晶体生长结果分析 | 第72-76页 |
| 4.4.1 主要测试仪器 | 第72-73页 |
| 4.4.2 生长出的晶体 | 第73页 |
| 4.4.3 晶体的透过率分析 | 第73-74页 |
| 4.4.4 晶体的位错分析 | 第74-76页 |
| 4.5 结论 | 第76-78页 |
| 第五章 结论与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第86-88页 |
| 作者和导师简介 | 第88-89页 |
| 附件 | 第89-90页 |
