| 学位论文数据集 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-35页 |
| 1.1 前言 | 第15-16页 |
| 1.2 有机存储器件的种类 | 第16-28页 |
| 1.2.1 有机光储存 | 第16-17页 |
| 1.2.2 有机电储存 | 第17-28页 |
| 1.2.2.1 有机电存储器件结构和制作方法 | 第17-19页 |
| 1.2.2.2 有机电存储器件的存储类型 | 第19-22页 |
| 1.2.2.3 有机电存储材料类型 | 第22页 |
| 1.2.2.4 有机电存储器件的存储机制 | 第22-28页 |
| 1.3 本论文工作的研究目的和意义 | 第28-29页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第29-33页 |
| 1.4.1 低聚噻吩 | 第29-31页 |
| 1.4.2 苝酰亚胺衍生物 | 第31-33页 |
| 1.4.3 聚硅氧烷 | 第33页 |
| 1.5 本论文的创新点 | 第33-35页 |
| 第二章 侧链含苝酰亚胺和噻盼聚硅氧烷的合成与表征 | 第35-67页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 实验部分 | 第35-56页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第35-36页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第36-37页 |
| 2.2.3 实验方法及步骤 | 第37-56页 |
| 2.2.3.1 噻吩有机硅基单体的合成与表征 | 第37-49页 |
| 2.2.3.2 花酰亚胺衍生物有机硅基单体的合成与表征 | 第49-54页 |
| 2.2.3.3 花酰亚胺和噻吩的有机硅基均聚和交替共聚物的合成 | 第54-56页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第56-66页 |
| 2.3.1 表征方法 | 第56-57页 |
| 2.3.2 PTSi,PDISi和PTSi-alt-PDISi结构的表征 | 第57-58页 |
| 2.3.2.1 核磁表征 | 第57-58页 |
| 2.3.2.2 MALDI-TOF MS测试 | 第58页 |
| 2.3.3 PTSi,PDISi和PTSi alt-PDISi热力学表征 | 第58-60页 |
| 2.3.3.1 TGA测试 | 第58-59页 |
| 2.3.3.2 DSC测试 | 第59-60页 |
| 2.3.4 PTSi,PDISi和PTSi-alt-PDISi光学表征 | 第60-63页 |
| 2.3.4.1 紫外测试 | 第60-62页 |
| 2.3.4.2 荧光测试 | 第62-63页 |
| 2.3.5 PTSi,PDISi和PTSi alt PDISi电化学表征 | 第63-65页 |
| 2.3.6 PTSi-alt-PDISi的AFM表征 | 第65-66页 |
| 2.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第三章 侧链含苝酰亚胺和噻吩交替聚硅氧烷的电存储性能研究 | 第67-77页 |
| 3.1 引言 | 第67页 |
| 3.2 实验部分 | 第67-68页 |
| 3.2.1 电存储器件ITO/PTSi-alt-PDISi/Au(Al)的制备 | 第67-68页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第68-76页 |
| 3.3.1 表征方法 | 第68-69页 |
| 3.3.2 电流密度-电压(J-V)曲线测试 | 第69-72页 |
| 3.3.2.1 ITO/PTSi-alt-PDISi/Au器件测试 | 第69-71页 |
| 3.3.2.2 ITO｜PTSi-alt-PDISi|Al器件测试 | 第71-72页 |
| 3.3.3 存储机理 | 第72-76页 |
| 3.3.3.1 XRD测试 | 第74-75页 |
| 3.3.3.2 荧光光谱测试 | 第75-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第四章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者和导师简介 | 第89-90页 |
| 硕士研宄生学位论文答辩委员会决议书 | 第90-91页 |
