| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 GaN材料 | 第14-17页 |
| 1.2.1 GaN基本结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 化学性质 | 第15页 |
| 1.2.3 电学性质 | 第15-16页 |
| 1.2.4 GaN的光学特性 | 第16页 |
| 1.2.5 GaN基材料特点 | 第16-17页 |
| 1.3 GaN基LED的发展历史 | 第17-18页 |
| 1.4 紫外LED | 第18-21页 |
| 1.4.1 紫外LED的优势与应用 | 第18-20页 |
| 1.4.2 紫外LED存在的问题 | 第20-21页 |
| 1.5 本论文研究意义和目的 | 第21-24页 |
| 第二章 GaN基LED制备和光学性能 | 第24-36页 |
| 2.1 GaN基LED制备和工艺流程 | 第24-27页 |
| 2.1.1 MOCVD外延生长 | 第24-26页 |
| 2.1.2 MOCVD系统 | 第26-27页 |
| 2.2 GaN中的杂质缺陷 | 第27-31页 |
| 2.2.1 单杂质类型 | 第28-30页 |
| 2.2.2 复合体杂质缺陷 | 第30-31页 |
| 2.3 影响光学性能的因素 | 第31-34页 |
| 2.3.1 杂质对光学性能的影响 | 第31-33页 |
| 2.3.2 量子与超晶格结构对光学性能的影响 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 量子阱结构优化实验 | 第36-48页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 材料表征方法 | 第36-39页 |
| 3.2.1 光致发光 | 第36-37页 |
| 3.2.2 X射线衍射 | 第37-39页 |
| 3.3 量子阱阱宽对发光性能的影响 | 第39-44页 |
| 3.3.1 样品制备 | 第39-42页 |
| 3.3.2 PL谱测试结果与分析 | 第42-44页 |
| 3.4 量子阱垒层Al组分对LED光学性能的影响 | 第44-47页 |
| 3.4.1 样品制备 | 第44-45页 |
| 3.4.2 PL谱测试结果与分析 | 第45-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 杂质缺陷对LED光学性能的影响 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 GaN基LED中杂质存在类型及载流子复合机制 | 第48-50页 |
| 4.3 紫外LED外延片PL谱与杂质缺陷关系分析 | 第50-54页 |
| 4.3.1 样品的制备 | 第50-51页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第51-54页 |
| 4.4 阱层In组分含量对杂质能级的影响 | 第54-58页 |
| 4.4.1 样品制备 | 第54-55页 |
| 4.4.2 实验结果与分析 | 第55-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72页 |