| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 GaN材料的晶体结构和性质 | 第17-19页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.2.2 GaN材料的性质 | 第18页 |
| 1.2.3 Vegard定律 | 第18-19页 |
| 1.3 紫外LED应用 | 第19-20页 |
| 1.4 紫外LED发展和前景 | 第20-21页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 GaN基材料的外延生长 | 第23-31页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 MOCVD外延生长技术 | 第23-26页 |
| 2.2.1 MOCVD技术发展概况 | 第23-24页 |
| 2.2.2 MOCVD设备 | 第24页 |
| 2.2.3 MOCVD生长GaN过程 | 第24-26页 |
| 2.3 GaN基材料外延衬底的选择 | 第26-27页 |
| 2.4 GaN基材料的缺陷 | 第27-28页 |
| 2.4.1 线位错 | 第27-28页 |
| 2.4.2 层位错 | 第28页 |
| 2.4.3 纳米管和微孔 | 第28页 |
| 2.5 GaN基材料的p型掺杂 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 超晶格增强p型掺杂研究 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 超晶格简介 | 第31-32页 |
| 3.3 AlGaN/GaN的极化效应 | 第32-34页 |
| 3.3.1 GaN基材料的极化性质 | 第32-33页 |
| 3.3.2 AlGaN/GaN界面的极化效应 | 第33-34页 |
| 3.4. 超晶格的掺杂机理分析 | 第34-36页 |
| 3.4.1 GaN和AlGaN的受主激活能 | 第35-36页 |
| 3.4.2 掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格 | 第36页 |
| 3.5 超晶格结构仿真研究 | 第36-39页 |
| 3.5.1 仿真模型及参数 | 第36-37页 |
| 3.5.2 仿真结果 | 第37-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 p型超晶格结构紫外LED性能研究 | 第41-63页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验参数 | 第41-42页 |
| 4.3 外延芯片结晶质量分析 | 第42-48页 |
| 4.3.1 芯片测试方法原理 | 第42-45页 |
| 4.3.2 芯片结晶质量测试结果 | 第45-48页 |
| 4.4 超晶格结构LED器件C-V特性分析 | 第48-51页 |
| 4.4.1 电容电压测试原理 | 第48-50页 |
| 4.4.2 C-V测试结果分析 | 第50-51页 |
| 4.5 超晶格结构LED器件I-V特性分析 | 第51-57页 |
| 4.5.1 器件正向工作电压 | 第51-52页 |
| 4.5.2 器件正向I-V特性分析 | 第52-56页 |
| 4.5.3 器件反向漏电流 | 第56-57页 |
| 4.6 LED器件光学特性分析 | 第57-60页 |
| 4.6.1 样品LED器件等效模型 | 第57-58页 |
| 4.6.2 超晶格的光学吸收特性 | 第58-59页 |
| 4.6.4 LED光电特性研究 | 第59-60页 |
| 4.7 本章小节 | 第60-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 作者简介 | 第71页 |
| 1.基本情况 | 第71页 |
| 2. 教育背景 | 第71页 |