| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体存储器概要 | 第9-12页 |
| 1.2.1 EEPROM | 第11页 |
| 1.2.2 FLASH | 第11-12页 |
| 1.3 辐射环境以及辐射效应 | 第12-19页 |
| 1.3.1 空间辐射环境 | 第12-15页 |
| 1.3.2 大气辐射环境 | 第15-16页 |
| 1.3.3 地面辐射环境 | 第16-17页 |
| 1.3.4 辐射效应 | 第17-19页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第19-20页 |
| 1.5 论文的研究意义以及组织结构 | 第20-22页 |
| 第二章 半导体辐射效应失效机理 | 第22-39页 |
| 2.1 辐射效应失效概要 | 第22-23页 |
| 2.2 总剂量效应失效机理 | 第23-26页 |
| 2.3 单粒子效应失效机理 | 第26-34页 |
| 2.3.1 漏斗效应 | 第26-30页 |
| 2.3.2 单粒子翻转 | 第30-31页 |
| 2.3.3 单粒子闩锁 | 第31-32页 |
| 2.3.4 单粒子烧毁 | 第32-33页 |
| 2.3.5 单粒子栅穿 | 第33-34页 |
| 2.4 剂量率效应失效机理 | 第34页 |
| 2.5 位移效应失效机理 | 第34-35页 |
| 2.6 存储电荷损失失效机理 | 第35-38页 |
| 2.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 抗辐照加固技术研究 | 第39-64页 |
| 3.1 抗辐照加固研究的现状 | 第39-40页 |
| 3.2 抗辐照的设计加固 | 第40-53页 |
| 3.2.1 电路设计加固 | 第40-48页 |
| 3.2.2 版图设计加固 | 第48-53页 |
| 3.3 抗辐照的工艺加固 | 第53-62页 |
| 3.3.1 栅氧化层加固 | 第53-54页 |
| 3.3.2 场氧化层加固 | 第54-56页 |
| 3.3.3 SOI工艺加固 | 第56-57页 |
| 3.3.4 封装加固工艺 | 第57-59页 |
| 3.3.5 屏蔽加固工艺 | 第59-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 辐射试验以及结果分析 | 第64-90页 |
| 4.1 总剂量辐射试验方案 | 第64-67页 |
| 4.2 FLASH存储器总剂量辐照试验 | 第67-69页 |
| 4.3 FLASH存储器高剂量率试验 | 第69-72页 |
| 4.3.1 静态工作电流 | 第69-70页 |
| 4.3.2 动态工作电流 | 第70页 |
| 4.3.3 功能情况 | 第70-71页 |
| 4.3.4 电荷丢失情况 | 第71-72页 |
| 4.4 FLASH存储器低剂量率(0.1rad/s)试验 | 第72-74页 |
| 4.4.1 静态工作电流 | 第72页 |
| 4.4.2 功能情况 | 第72-73页 |
| 4.4.3 电荷丢失情况 | 第73-74页 |
| 4.5 FLASH存储器低剂量率(0.01rad/s)试验 | 第74-77页 |
| 4.5.1 静态工作电流 | 第74-75页 |
| 4.5.2 动态工作电流 | 第75-76页 |
| 4.5.3 功能情况 | 第76页 |
| 4.5.4 电荷丢失情况 | 第76-77页 |
| 4.6 单粒子辐射试验方案 | 第77-86页 |
| 4.6.1 试验线路板 | 第77-83页 |
| 4.6.2 单粒子翻转测试系统 | 第83-85页 |
| 4.6.3 单粒子闩锁测试系统 | 第85-86页 |
| 4.7 FLASH存储器单粒子辐照试验 | 第86-89页 |
| 4.8 本章小结 | 第89-90页 |
| 第五章 结合辐射试验的抗辐照加固 | 第90-93页 |
| 5.1 器件结构及电路设计 | 第90-92页 |
| 5.2 工艺设计 | 第92页 |
| 5.3 本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-98页 |