| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-38页 |
| 1.1 一维纳米材料的介绍 | 第11-12页 |
| 1.2 氧化锌材料的介绍 | 第12-19页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 ZnO纳米材料的光致发光性能 | 第14-18页 |
| 1.2.3 ZnO纳米材料的场发射性能 | 第18-19页 |
| 1.3 一维氧化锌纳米阵列的制备方法 | 第19-26页 |
| 1.3.1 简单反应沉积法 | 第20-21页 |
| 1.3.2 碳热还原法 | 第21-22页 |
| 1.3.3 金属有机化学气相沉积 | 第22-23页 |
| 1.3.4 水(溶剂)热法 | 第23-25页 |
| 1.3.5 电化学沉积法 | 第25-26页 |
| 1.4 一维氧化锌纳米阵列的p型掺杂 | 第26-30页 |
| 1.4.1 V族元素掺杂 | 第26-28页 |
| 1.4.2 I族元素掺杂 | 第28-30页 |
| 1.5 基于一维氧化锌纳米阵列发光二极管的研究进展 | 第30-36页 |
| 1.5.1 基于n型ZnO纳米棒/线的LED | 第30-32页 |
| 1.5.2 基于p型ZnO纳米棒/线的LED | 第32-36页 |
| 1.6 课题研究意义及主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 一维氧化锌纳米棒阵列的制备和表征方法 | 第38-43页 |
| 2.1 一维氧化锌纳米棒阵列的制备 | 第38-41页 |
| 2.1.1 直流磁控溅射法的基本原理 | 第38页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法的基本原理 | 第38-39页 |
| 2.1.3 ZnO纳米棒阵列的制备 | 第39-41页 |
| 2.2 材料性能的表征方法 | 第41-43页 |
| 第三章 一维氧化锌纳米棒阵列的合成研究 | 第43-59页 |
| 3.1 锌原料对一维氧化锌纳米棒阵列生长的影响 | 第43-48页 |
| 3.1.1 锌粉为原料合成一维氧化锌纳米材料 | 第43-47页 |
| 3.1.2 氧化锌粉为原料合成一维氧化锌纳米纳米材料 | 第47-48页 |
| 3.2 缓冲层技术对一维氧化锌纳米棒阵列的生长的影响 | 第48-54页 |
| 3.3 ZnO纳米棒生长机理的研究 | 第54-58页 |
| 3.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 一维氧化锌纳米棒阵列场发射性能增强研究 | 第59-70页 |
| 4.1 退火处理对一维ZnO纳米棒阵列场发射性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.2 表面修饰对增强一维ZnO纳米棒阵列场发射性能的影响 | 第61-69页 |
| 4.2.1 表面包覆AlN薄膜增强ZnO纳米棒的场发射性能 | 第62-65页 |
| 4.2.2 等离子刻蚀增强ZnO纳米棒的场发射性能 | 第65-67页 |
| 4.2.3 两步法增强ZnO纳米棒的场发射性能 | 第67-69页 |
| 4.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 Na掺杂氧化锌纳米棒阵列的研究 | 第70-98页 |
| 5.1 CVD合成Na掺杂的ZnO纳米棒的研究 | 第70-90页 |
| 5.1.1 Na含量对ZnO纳米棒的性能的影响 | 第70-81页 |
| 5.1.2 热处理对Na掺杂ZnO纳米棒电学和光学性能的影响研究 | 第81-90页 |
| 5.2 热扩散法Na掺杂ZnO纳米棒的研究 | 第90-96页 |
| 5.3 本章小结 | 第96-98页 |
| 第六章 Na掺杂ZnO纳米棒的同质pn结及性能研究 | 第98-104页 |
| 6.1 基于p-ZnO :Na纳米棒的同质pn结的制备 | 第98-101页 |
| 6.2 同质结IV特性 | 第101-102页 |
| 6.3 本章小结 | 第102-104页 |
| 结论 | 第104-107页 |
| 参考文献 | 第107-124页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 附件 | 第127页 |
