| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 半导体核探测材料的研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体核辐射探测器的分类 | 第11-12页 |
| 1.3 碘化铟的结构及国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.1 碘化铟的结构 | 第13页 |
| 1.3.2 碘化铟的国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本论文的研究目的及意义 | 第14页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 第一性原理计算方法及其应用 | 第16-29页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 第一性原理计算方法 | 第17-22页 |
| 2.2.1 Hartree - Fock近似 | 第17-18页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第18-21页 |
| 2.2.3 局域密度近似与广义梯度近似 | 第21-22页 |
| 2.3 第一性原理计算方法的应用 | 第22-27页 |
| 2.3.1 体系能量 | 第22-23页 |
| 2.3.2 几何优化 | 第23-24页 |
| 2.3.3 能带结构计算 | 第24页 |
| 2.3.4 态密度 | 第24-25页 |
| 2.3.5 电荷布居分析 | 第25页 |
| 2.3.6 光学性质 | 第25-27页 |
| 2.4 计算软件介绍 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 Cs掺杂对InI电子结构和光学性质的影响 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 理论模型与计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 结构优化与稳定性分析 | 第30-31页 |
| 3.4 电子结构分析 | 第31-36页 |
| 3.4.1 能带分布 | 第31-33页 |
| 3.4.2 态密度分析 | 第33-36页 |
| 3.4.3 差分电荷密度分析 | 第36页 |
| 3.5 吸收光谱分析 | 第36-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 Pb掺杂对InI最小光学带隙和电导率的影响 | 第38-48页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第38-39页 |
| 4.3 结构优化与稳定性分析 | 第39-40页 |
| 4.4 高掺杂与最小光学带隙分析 | 第40-44页 |
| 4.5 相对自由电子浓度与有效质量分析 | 第44-45页 |
| 4.6 迁移率与电导率分析 | 第45-46页 |
| 4.7 差分电荷密度分析 | 第46-47页 |
| 4.8 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 Pb-Cs共掺杂对InI电子结构的影响 | 第48-55页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 理论模型和计算方法 | 第48-49页 |
| 5.3 结构优化与稳定性分析 | 第49-51页 |
| 5.4 能带结构分析 | 第51页 |
| 5.5 态密度分析 | 第51-52页 |
| 5.6 相对自由电子浓度与电导率分析 | 第52-53页 |
| 5.7 吸收光谱分析 | 第53-54页 |
| 5.8 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 作者简介 | 第63页 |