| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 MMIC低噪声放大器的研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 MMIC低噪声放大器国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 论文的主要内容 | 第12-14页 |
| 第2章 微波低噪声放大器基本理论 | 第14-24页 |
| 2.1 二端.网络 | 第14-17页 |
| 2.2 SMITH圆图 | 第17-18页 |
| 2.3 放大器的主要技术指标 | 第18-23页 |
| 2.3.1 噪声系数 | 第18-19页 |
| 2.3.2 工作频带及带宽 | 第19-20页 |
| 2.3.3 稳定性 | 第20-21页 |
| 2.3.4 功率增益与增益平坦度 | 第21-22页 |
| 2.3.5 端.匹配 | 第22-23页 |
| 2.3.6 动态范围 | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 MMIC低噪声放大器的器件建模及工艺 | 第24-38页 |
| 3.1 MMIC衬底的选择及分析 | 第24-28页 |
| 3.1.1 材料的选择 | 第24-25页 |
| 3.1.2 GaAs材料分析 | 第25-28页 |
| 3.2 有源器件的选取 | 第28-31页 |
| 3.2.1 金属-半导体肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET） | 第28页 |
| 3.2.2 异质结双极晶体管（HBT） | 第28-29页 |
| 3.2.3 高电子迁移率晶体管、赝配高电子迁移率晶体管 | 第29-31页 |
| 3.3 MMIC低噪声放大器器件模型的建立 | 第31-35页 |
| 3.3.1 PHEMT小信号模型 | 第31-32页 |
| 3.3.2 平面电阻模型 | 第32-33页 |
| 3.3.3 平面电容模型 | 第33-34页 |
| 3.3.4 平面电感模型 | 第34-35页 |
| 3.4 MMIC低噪声放大器的工艺分析 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章X波段MMIC低噪声放大器的电路和版图设计研究 | 第38-60页 |
| 4.1 设计软件选择及设计流程 | 第38-40页 |
| 4.2 电路设计方案 | 第40-41页 |
| 4.3 单级低噪声放大电路设计 | 第41-52页 |
| 4.3.1 器件栅参数和直流偏置点选择 | 第41-43页 |
| 4.3.2 稳定性设计 | 第43-46页 |
| 4.3.3 直流偏置电路设计 | 第46-47页 |
| 4.3.4 宽带匹配电路设计 | 第47-52页 |
| 4.4 后两级电路设计 | 第52-56页 |
| 4.5 三级放大电路级联及优化 | 第56-57页 |
| 4.6 版图设计 | 第57-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间所申请专利目录 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
