| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 纳米材料 | 第11-12页 |
| 1.1.1 纳米材料的概念 | 第11页 |
| 1.1.2 纳米材料的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.2 纳米结构的制备方法 | 第12-17页 |
| 1.2.1 水热/溶剂热生长法 | 第13页 |
| 1.2.2 模板法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 气相沉积法 | 第14-16页 |
| 1.2.4 电化学/水浴制备法 | 第16-17页 |
| 1.3 CdS材料的基本性质及应用 | 第17-25页 |
| 1.3.1 CdS材料的基本性质 | 第17-18页 |
| 1.3.2 CdS材料的应用 | 第18-25页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 CdTe薄膜的制备及其表征 | 第31-44页 |
| 2.1 CdTe薄膜的制备方法及实验过程 | 第31-34页 |
| 2.1.1 真空蒸发法 | 第32页 |
| 2.1.2 近空间升华法 | 第32-33页 |
| 2.1.3 实验步骤及实验方案 | 第33-34页 |
| 2.2 高真空蒸发法与近空间升华法制备CdTe薄膜 | 第34-42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 Au膜对生长CdS纳米结构的影响 | 第44-59页 |
| 3.1 金属催化纳米结构的生长 | 第44-46页 |
| 3.2 CdS纳米结构的制备 | 第46-47页 |
| 3.2.1 纳米结构的制备方法 | 第46-47页 |
| 3.2.2 纳米结构的表征方法 | 第47页 |
| 3.2.3 实验方案 | 第47页 |
| 3.3 不同厚度的Au膜对纳米结构的影响 | 第47-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第四章 CdTe薄膜上原位生长CdS纳米线与异质结的研究 | 第59-93页 |
| 4.1 CdS纳米线的制备 | 第59-60页 |
| 4.1.1 实验方案 | 第59页 |
| 4.1.2 表征方法 | 第59-60页 |
| 4.2 H2S气体的退火温度对CdTe薄膜的影响 | 第60-74页 |
| 4.2.1 “低温”退火 | 第60-67页 |
| 4.2.2 “高温”退火 | 第67-74页 |
| 4.3 H_2S气体的退火时间对CdTe薄膜的影响 | 第74-75页 |
| 4.4 纳米线生长机理分析 | 第75-78页 |
| 4.5 CdS/CdTe异质结的制备与表征 | 第78-88页 |
| 4.5.1 异质结的研究背景 | 第78-79页 |
| 4.5.2 异质pn结的形成 | 第79-80页 |
| 4.5.3 CdS/CdTe异质结的制备 | 第80-83页 |
| 4.5.4 CdS/CdTe异质结电学性能 | 第83-88页 |
| 4.6 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第五章 ZnS纳米结构的制备及光学性能的表征 | 第93-102页 |
| 5.1 ZnS纳米结构的制备 | 第93页 |
| 5.1.1 ZnS纳米结构的制备方法 | 第93页 |
| 5.1.2 ZnS纳米结构的表征方法 | 第93页 |
| 5.2 ZnS纳米结构的形貌和光学性能 | 第93-100页 |
| 5.3 本章小结 | 第100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-107页 |
| 6.1 总结 | 第102-105页 |
| 6.2 展望 | 第105-107页 |
| 博士阶段已发表的论文 | 第107页 |
| 己申请专利 | 第107页 |
| 中请科研项目 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
