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用于北斗接收机的CMOS低噪声放大器设计研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-21页
    1.1 研究背景第15-17页
    1.2 国内外发展现状第17-18页
    1.3 论文研究内容及章节安排第18-21页
第二章 低噪声放大器的工作机制第21-37页
    2.1 低噪声放大器的基本技术指标第21-27页
    2.2 MOSFET器件特性第27-31页
        2.2.1 长沟道模型第28-30页
        2.2.2 短沟道效应第30-31页
    2.3 MOSFET的高频小信号特性第31-32页
    2.4 米勒效应第32-34页
    2.5 电流复用结构第34-35页
    2.6 本章小结第35-37页
第三章 噪声的分析与优化第37-47页
    3.1 噪声的分类及来源第37-40页
        3.1.1 热噪声第37-38页
        3.1.2 MOSFET的噪声第38-39页
        3.1.3 散粒噪声第39-40页
        3.1.4 闪烁噪声第40页
    3.2 二端口网络噪声分析第40-42页
    3.3 应用于MOSFET的二端口网络理论第42-45页
    3.4 噪声抵消技术第45-46页
    3.5 本章小结第46-47页
第四章 低噪声放大器的设计第47-61页
    4.1 经典的LNA拓扑结构第47-54页
        4.1.1 电阻匹配共源结构第47-48页
        4.1.2 共栅匹配结构第48-49页
        4.1.3 电阻并联负反馈第49-52页
        4.1.4 电感源级负反馈结构第52-53页
        4.1.5 带通滤波器结构第53-54页
        4.1.6 分布式放大器结构第54页
    4.2 低噪放的设计指标及设计方案第54-56页
    4.3 低噪放的性能指标计算及器件参数确定第56-59页
        4.3.1 输入输出阻抗匹配的计算第56-57页
        4.3.2 噪声分析及计算第57-59页
    4.4 本章小结第59-61页
第五章 低噪声放大器的仿真与版图设计第61-79页
    5.1 电路性能前仿真及结果分析第61-66页
        5.1.1 输入输出阻抗匹配仿真结果第62-63页
        5.1.2 功率增益仿真结果第63-64页
        5.1.3 反向隔离度仿真第64页
        5.1.4 噪声系数仿真第64-65页
        5.1.5 线性度仿真第65-66页
    5.2 LNA的温度参数仿真第66-68页
    5.3 LNA的工艺角参数仿真第68-71页
    5.4 版图设计第71-74页
        5.4.1 版图设计的基本流程第71-72页
        5.4.2 RF电路的版图设计要点第72-73页
        5.4.3 LNA的整体版图实现第73-74页
    5.5 电路后仿真及结果分析第74-77页
    5.6 本章小结第77-79页
第六章 结论第79-81页
参考文献第81-85页
致谢第85-87页
作者简介第87-88页

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